[發(fā)明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210170313.2
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN102810333A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳星來;南炳燮;李杲炫
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

1.一種半導體存儲裝置包括邊界電路單元，所述邊界電路單元位于低電壓頁緩沖器與高電壓頁緩沖器之間，并具有被配置成將所述低電壓頁緩沖器與所述高電壓頁緩沖器電耦接的電路，

其中，所述邊界電路單元包括：

第一邊界電路單元，所述第一邊界電路單元包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一邊界電路單元被配置成經(jīng)由從多個信號傳輸線中選中的信號傳輸線來接收相應(yīng)的存儲器單元區(qū)域的數(shù)據(jù)，所述多個信號傳輸線針對每列沿著第一方向延伸和布置；以及

第二邊界電路單元，所述第二邊界電路單元被設(shè)置成在所述第一方向上與所述第一邊界電路單元相鄰，并且具有在所述第二邊界電路單元上延伸和布置的所述多個信號傳輸線，以及

形成所述第一晶體管的有源區(qū)與形成所述第二晶體管的有源區(qū)彼此隔離開。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述第一邊界電路單元包括：

第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)彼此之間以預(yù)定距離沿著所述第一方向布置；

第一晶體管，所述第一晶體管被布置在所述第一有源區(qū)之上并具有設(shè)置在與所述第一方向交叉的第二方向上的第一柵極、以及布置在所述第一柵極兩側(cè)的所述第一有源區(qū)中的第一源極和第一漏極；

第二晶體管，所述第二晶體管被布置在所述第二有源區(qū)之上且具有沿所述第二方向延伸的第二柵極以及布置在所述第二柵極兩側(cè)的所述第二有源區(qū)中的第二源極和第二漏極。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體存儲裝置，還包括：

奇數(shù)位線，所述奇數(shù)位線與所述第一漏極電耦接；以及

偶數(shù)位線，所述偶數(shù)位線與所述第二漏極電耦接，

其中，所述奇數(shù)位線和所述偶數(shù)位線與所述信號傳輸線平行地布置在所述第一邊界電路單元和所述第二邊界電路單元之上。

4.如權(quán)利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，所述奇數(shù)位線和所述偶數(shù)位線布置在相同的線上，并且彼此電絕緣。

5.如權(quán)利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，所述奇數(shù)位線和所述偶數(shù)位線位于要形成所述選中的信號傳輸線的列中，以及

所述選中的信號傳輸線的第一部分位于預(yù)先布置的列中，并且所述選中的信號傳輸線的第二部分彎曲成位于相鄰的列中。

6.如權(quán)利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，位于所述相鄰的列中的信號傳輸線包括與所述選中的信號傳輸線隔離的切口部分，以及

位于所述相鄰的列的所述信號傳輸線的一部分經(jīng)由形成在所述信號傳輸線之上的上部導電互連與位于所述相鄰的列中的所述信號傳輸線的另一部分電耦接。

7.如權(quán)利要求6所述的半導體存儲裝置，其中，所述第二邊界電路單元還包括多個上部互連，所述多個上部互連位于所述多個信號傳輸線之上。

8.如權(quán)利要求7所述的半導體存儲裝置，其中，所述多個上部互連和所述上部導電互連位于相同水平處。

9.如權(quán)利要求7所述的半導體存儲裝置，其中，所述上部互連每個都具有第一部分和第二部分，

所述第一部分與相應(yīng)的信號傳輸線彼此重疊，

所述第二部分被設(shè)置在相應(yīng)的信號傳輸線和與所述相應(yīng)的信號傳輸線相鄰的另一信號傳輸線之間的空間中；以及

彎曲部分被形成在所述第一部分與所述第二部分之間。

10.一種半導體存儲裝置包括：

包括第一晶體管和第二晶體管的第一邊界電路單元，所述第一邊界電路單元被配置成經(jīng)由從多個信號傳輸線之中選中的信號傳輸線來接收相應(yīng)的存儲器單元區(qū)域的數(shù)據(jù)，所述多個信號傳輸線針對每列沿第一方向延伸；以及

第二邊界電路單元，所述第二邊界電路單元具有被布置在所述第二邊界電路單元上并且延伸到所述第一邊界電路單元的多個信號傳輸線，并且所述第二邊界電路單元包括重疊在所述多個信號傳輸線之上的多個上部互連，

其中，所述選中的信號傳輸線包括與所述第一晶體管的源極耦接的第一部分以及與所述第二晶體管的源極耦接的第二部分，所述第一部分位于與所述選中的信號傳輸線相對應(yīng)的列之上，所述第二部分位于要定位與所述選中的信號傳輸線相鄰的信號傳輸線使得所述選中的信號傳輸線具有彎曲形狀的列之上，并且

位于所述相鄰的列中的所述信號傳輸線包括切口部分以與所述選中的信號傳輸線的所述第二部分隔離。