[發明專利]具有電流阻擋層的半導體發光裝置

無效

• 申請號: 201210169902.9
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102800768A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 李完鎬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體發光裝置，包括：

半導體發光疊層，包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和夾置在其間的有源層；

第一電極，具有形成在所述第一導電半導體層的上表面的一部分上的至少一個接合焊盤；

第二電極，具有形成在所述第二導電半導體層上的歐姆接觸層；和

電流阻擋層，位于所述第二導電半導體層與所述歐姆接觸層之間并具有多個圖案，所述多個圖案排列為使得鄰近與所述接合焊盤交疊的區域的圖案之間的間隔小于其他區域的圖案之間的間隔。

2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中所述第一電極形成在所述第一導電半導體層上并進一步包括從所述接合焊盤延伸的多個電極分支。

3.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其中所述多個電極分支在所述多個圖案排列的方向上平行排列。

4.根據權利要求3所述的半導體發光裝置，其中所述多個圖案之間的間隔在遠離與所述接合焊盤交疊的區域的方向上更大。

5.根據權利要求3所述的半導體發光裝置，其中所述多個電極分支排列為其間具有預定間隔。

6.根據權利要求3所述的半導體發光裝置，其中所述多個圖案形成為設置在與所述多個電極分支交疊的區域上。

7.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中所述至少一個接合焊盤是形成在所述第一導電半導體層的上表面的不同區域上的多個接合焊盤。

8.根據權利要求7所述的半導體發光裝置，其中所述多個接合焊盤分別設置在相對的拐角上，所述多個圖案之間的間隔朝與所述第一導電半導體層的中心交疊的區域變大。

9.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中在所述多個圖案之中，鄰近與所述接合焊盤交疊的區域的圖案的寬度大于其他圖案的寬度。

10.根據權利要求9所述的半導體發光裝置，其中所述多個圖案的寬度隨著遠離與所述接合焊盤交疊的區域而更小。

11.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中所述電流阻擋層由電絕緣材料形成。

12.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中所述電流阻擋層由其中形成第二導電半導體層的被損傷的晶體的區域形成，從而與所述歐姆接觸層具有肖特基結。

13.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，還包括提供有所述第二電極的導電基板，以支撐所述半導體發光疊層。

14.根據權利要求13所述的半導體發光裝置，其中所述第二電極還包括設置在所述歐姆接觸層與所述導電基板之間的阻隔層。

15.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中所述第一電極還包括形成在所述第一導電半導體層上的透明電極層，所述接合焊盤形成在所述透明電極層上。

16.根據權利要求15所述的半導體發光裝置，還包括附加的電流阻擋層，所述附加的電流阻擋層具有形成在所述第一導電半導體層與所述透明電極層之間的多個附加的圖案。

17.根據權利要求16所述的半導體發光裝置，其中所述多個附加的圖案排列為使得鄰近與所述接合焊盤交疊的區域的圖案之間的間隔小于其他區域的圖案之間的間隔。

18.根據權利要求17所述的半導體發光裝置，其中所述多個附加的圖案形成在不與所述多個圖案交疊的位置上。

19.一種半導體發光裝置，包括：

半導體發光疊層，包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和夾置在其間的有源層；

第一電極，具有形成在所述第一導電半導體層的上表面上的透明電極層和形成在所述透明電極層的一部分上的至少一個接合焊盤；

第二電極，具有形成在所述第二導電半導體層上的歐姆接觸層；和

電流阻擋層，形成在所述第一導電半導體層與所述透明電極層之間并具有多個圖案，所述多個圖案排列為使得鄰近與所述接合焊盤交疊的區域的圖案之間的間隔小于其他區域的圖案之間的間隔。

20.根據權利要求19所述的半導體發光裝置，其中所述多個圖案之間的間隔在遠離與所述接合焊盤交疊的區域的方向上更大。