[發明專利]一種陣列基板、其制造方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201210167777.8 | 申請日: | 2012-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN102709328A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 楊玉清;樸承翊;李炳天;蔣冬華 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;趙愛軍 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示領域,尤其涉及一種陣列基板、其制造方法、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
利用非晶硅(a-Si)薄膜晶體管(TFT)制作薄膜晶體管顯示器的缺點是其電子遷移率非常低(<1cm2/V.S),同時a-Si在可見光范圍不透明,光敏性強,因此其應用范圍受到了限制。隨著新技術的出現,如有機發光二極管(OLED)顯示技術,透明液晶顯示技術,驅動電路集成玻璃技術(Gate?Driver?on?Array,GOA)等逐漸進入人們的視野,需要薄膜半導體材料具有更高的電子遷移率,更佳的非晶態均一性,并能夠減少閥值電壓(Vth)漂移等。
金屬氧化物半導體薄膜晶體管(Oxide?TFT,O-TFT)的金屬氧化物半導體薄膜具有沉積溫度低,電子遷移率高,易于刻蝕,在可見光范圍內透過率高,且電子遷移率不那么取決于膜的顆粒尺寸,即具有Vth均一性高等優點。
圖1為現有的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖,其中,圖1b是陣列基板的平面圖,圖1a是圖1b的A-A截面圖。參照圖1,所述陣列基板包括:基板101;形成在基板101上的柵電極102和柵線;形成在柵電極102和柵線上的柵絕緣層103;形成在柵絕緣層103上的金屬氧化物有源層104;形成在有源層104上的刻蝕阻擋層(Etch?Stop?Layer,ESL)105、源電極106、漏電極107和數據線;源電極106、漏電極107和數據線上的鈍化層108,鈍化層108上形成有過孔109;形成在鈍化層108上的像素電極110,像素電極110通過過孔109與漏電極107連接。
上述Oxide-TFT陣列基板的制造工藝如下:在基板101上沉積柵金屬層,用掩膜版進行曝光,再經顯影、刻蝕工藝制作柵電極102;在其上依次沉積柵絕緣層103和金屬氧化物半導體層,用掩膜版進行曝光,再經顯影、刻蝕工藝制作有源層104;在其上沉積阻擋層材料,用掩膜版進行曝光,再經顯影、刻蝕工藝制作刻蝕阻擋層105;在其上沉積源漏金屬層,用掩膜版進行曝光,再經顯影、刻蝕工藝制作源電極106、漏電極107;在其上沉積鈍化層108,用掩膜版進行曝光,再經顯影、刻蝕工藝制作過孔109;在其上沉積透明電極層,用掩膜版進行曝光,再經顯影、刻蝕工藝制作像素電極110。
可以看出,上述陣列基板的制造過程包括了六次構圖工藝,每次構圖工藝都用到一塊不同的掩膜版,導致該陣列基板的制造成本較高。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種陣列基板、其制造方法、顯示面板及顯示裝置,以降低陣列基板的制造成本。
為解決上述技術問題,本發明提供技術方案如下:
一種陣列基板,包括:
形成在形成有有源層的基板上的具有源電極接觸孔和漏電極接觸孔的刻蝕阻擋層;
形成在形成有刻蝕阻擋層的基板上的源電極、漏電極和數據線,源電極通過源電極接觸孔與有源層連接,漏電極通過漏電極接觸孔與有源層連接;
形成在形成有源電極、漏電極和數據線的基板上的具有像素電極接觸孔的鈍化層,所述像素電極接觸孔在基板上的正投影與所述漏電極接觸孔在基板上的正投影重合;
形成在形成有鈍化層的基板上的像素電極,所述像素電極通過像素電極接觸孔與漏電極連接。
上述的陣列基板,其中,還包括:
形成在基板上的柵電極和柵線;
形成在形成有柵電極和柵線的基板上的柵絕緣層;
形成在柵絕緣層上的有源層。
上述的陣列基板,其中:所述有源層為金屬氧化物有源層。
上述的陣列基板,其中:所述像素電極接觸孔在基板上的正投影位于柵電極所處的區域內。
上述的陣列基板,其中:所述刻蝕阻擋層全部覆蓋所述基板。
一種陣列基板的制造方法,包括:
在形成有有源層的基板上形成刻蝕阻擋層,采用第一掩膜版進行光刻后,刻蝕出源電極接觸孔和漏電極接觸孔;
在形成有刻蝕阻擋層的基板上形成源電極、漏電極和數據線,源電極通過源電極接觸孔與有源層連接,漏電極通過漏電極接觸孔與有源層連接;
在形成有源電極、漏電極和數據線的基板上形成鈍化層,采用所述第一掩膜版進行光刻后,刻蝕出像素電極接觸孔;
在形成有鈍化層的基板上形成像素電極,所述像素電極通過像素電極接觸孔與漏電極連接。
上述的制造方法,其中,在形成刻蝕阻擋層之前還包括:
在基板上形成柵電極和柵線;
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