[發明專利]真空處理裝置以及真空處理方法有效
| 申請號: | 201210166842.5 | 申請日: | 2012-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN102800615A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發明(設計)人: | 仲田輝男;野木慶太;井上智己;川口道則 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立高新技術 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;郭鳳麟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 處理 裝置 以及 方法 | ||
技術領域
本發明涉及真空處理裝置,特別涉及在半導體處理裝置的處理室等之間搬運半導體被處理體(以下稱為“晶圓”)的方法。
背景技術
在半導體處理裝置,特別是在減壓后的裝置內對處理對象進行處理的裝置中,與處理的細微化、精密化一同要求作為處理對象的晶圓的處理的效率的提高。為此,近年來開發出在一個裝置上連接配備多個處理室的多室裝置,提高了潔凈室的單位設置面積的生產率的效率。在這種具備多個處理室來進行處理的裝置中,各個超凈間內部的氣體或其壓力以可減壓的方式被調節,并且連接了具備用于搬運晶圓的機器人等的搬運室。
在這種多室裝置中,在搬運室的周圍放射狀地連接了處理室的被稱為集群裝置(cluster?tool)的構造的裝置得到廣泛普及。但是,該自動組合裝置的裝置需要大的設置面積,特別是伴隨著近年的晶圓的大口徑化,存在設置面積越來越增大的問題。因此,為了解決該問題,出現了被稱為線性裝置的構造的裝置(例如參照專利文獻1)。線性工具的特征是具有多個搬運室,在各個搬運室上連接處理室,并且搬運室彼此也直接連接,或者在中間隔著交接的空間(以下稱為“中間室”)而連接的構造。
如此為了減小設置面積而提出了線性工具這樣的構造,另一方面,關于生產率的提高也提出了若干方案。為了提高生產率,處理時間的縮短或搬運的高效率化是重要的,特別是關于高效率的搬運方法提出了若干方案。作為代表性的方法,已知基于調度的方法。所謂基于調度的方法,是在事前決定了搬運動作并據此進行搬運的方法,作為搬運動作的決定方法的一例,提出了從處理完成時間早的處理室開始依次分配為搬運目的地來決定搬運動作的方法(例如參照專利文獻2)。
該基于調度的方法,是在蝕刻或成膜等的處理時間在該處理所需的標準的時間前后穩定的條件下實現高生產率的方法。但是,在處理新的產品或者晶圓的處理條件發生了改變等情況下,處理時間不穩定,與該處理所需的標準的時間相比延長了數倍的情況也會經常發生。在這種狀況下,當多個處理室內的某個處理室中處理時間發生延長時,有時該處理室中被處理的預定的晶圓未按照調度被搬運而在裝置內待機,堵塞了在其它處理室中被處理的預定的晶圓的搬運路徑,降低了生產率。
具體來說,例如有兩個處理室,在處理室A中預定處理在20秒后結束,在處理室B中預定處理在50秒后結束。此時,假定在處理室A中接下來要處理的預定的晶圓W1正在預真空進樣室中待機。若在處理室A中按照預定在20秒后處理結束,則晶圓W1被從預真空進樣室取出,在處理室A中進行處理。若如此,由于預真空進樣室中為空,因此可以取得在處理室B中接下來要處理的晶圓W2,因此,若處理室B的處理結束,則可以立即在處理室B中處理晶圓W2。但是,在處理室A的處理經過預定的20秒仍未結束的情況下,在預真空進樣室中待機的晶圓W1仍然持續占用預真空進樣室,因此晶圓W2無法進入預真空進樣室。因此,處理室A的處理延長,即使處理室B的處理先結束也無法向處理室B搬運接下來要在處理室B中處理的預定的晶圓W2,因此無法進行處理。所以導致生產率降低。
作為像這樣在某個處理室中被處理的預定的晶圓未按照調度被搬運,妨礙要在其它處理室中被處理的預定的晶圓的搬運的情況下的解決方案,提出了在發生了未按照調度被搬運的晶圓的情況下回收未按調度搬運的晶圓,或者移動到臨時避讓用的空間等重新組織搬運調度的方法(例如參照專利文獻3)。
專利文獻1:日本特表2007-511104號公報
專利文獻2:日本特開平10-189687號公報
專利文獻3:日本特表2002-506285號公報
發明內容
在上述現有技術中在以下方面存在問題。
在處理時間不穩定的狀況下,即使為了減輕生產率的降低而重新組織搬運調度,也進行回收晶圓或者搬運到臨時避讓用的空間等本來不需要的動作,沒有避免生產率的降低,未必能說是高效率的搬運方法。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





