[發(fā)明專利]一種電容觸控屏及其制造工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210165137.3
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102693056A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周琦;胡里程;黃理;沈勵;遲曉輝;陳奇
• 申請（專利權(quán)）人: 蕪湖長信科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 張小虹

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電容觸控屏結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)

目前市場上生產(chǎn)的觸控屏主要是電容觸控屏，它主要分為表面式和投射式兩種，其中投射式又稱感應(yīng)電容觸控屏，電容觸控屏機(jī)械結(jié)構(gòu)簡單，且無需人工校正，采用矩陣結(jié)構(gòu)，精確度很高，非常適合在便攜式電子產(chǎn)品上使用。因此電容觸摸屏占據(jù)了市場的主要份額，電容觸摸屏其昂貴的生產(chǎn)成本成為競爭的主要原因，為了減少生產(chǎn)成本，在原料價格不變的情況下，減少制程，提供有效產(chǎn)出成為減低成本的最大關(guān)鍵。

在電容觸控屏制程中，主要分為兩種制成結(jié)構(gòu)：

雙面（DITO）結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品功能更好,結(jié)構(gòu)更牢固?？煽啃詢?yōu)秀。但缺點(diǎn)在制成難度高。專利容易沖突；

參見圖2，單面（SITO）結(jié)構(gòu)成熟，制成簡單，但缺點(diǎn)在jumper大小，整體參數(shù)不易控制.外觀在某種意義上達(dá)不到客戶要求（外觀會存在跳躍導(dǎo)體圖層眩光產(chǎn)生“麻點(diǎn)”現(xiàn)象）。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是實(shí)現(xiàn)一種無“麻點(diǎn)”現(xiàn)象的單面（SITO）電容觸控屏結(jié)構(gòu)，以及這種電容觸控屏的生產(chǎn)工藝。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種電容觸控屏，包括基板，布置于基板上的ITO圖層，覆蓋于ITO圖層外的絕緣架橋?qū)?，以及覆蓋于絕緣架橋?qū)由戏降奶S導(dǎo)體圖層，所述的跳躍導(dǎo)體圖層上方覆蓋有用于遮擋金屬跳躍導(dǎo)體圖層眩光的黑膜圖層。

所述的ITO圖層、絕緣架橋?qū)?、跳躍導(dǎo)體圖層和黑膜圖層的圖案結(jié)構(gòu)相同并相互重疊。

所述的黑膜圖層上覆蓋樹脂保護(hù)層，所述的基板背面依次設(shè)有防靜電ITO層和二氧化硅保護(hù)層。

一種電容觸控屏的觸控部制造工藝，包括：

a、采用真空磁控濺射方法鍍制ITO膜；

b、制作ITO圖層，包括進(jìn)行曝光、蝕刻；

c、在ITO圖形上制作一層絕緣架橋?qū)樱?/p>

d、利用真空磁控濺射鍍膜機(jī)在制作好的絕緣架橋?qū)油忮円粚訉?dǎo)電材料；

進(jìn)一步的，在所述的一層導(dǎo)電材料上涂布一層黑膜，然后采用采用觸控屏的觸控部黃光光刻技術(shù)，依次進(jìn)行涂布，烘烤，曝光、顯影，蝕刻工藝將這層導(dǎo)電材料和黑膜一起制作成所需圖形。

進(jìn)一步的，所述的導(dǎo)電材料和黑膜進(jìn)行曝光時，所使用的掩膜板上設(shè)計圖形的尺寸比例的大于產(chǎn)品實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)值6-7um，且曝光機(jī)能量調(diào)節(jié)至250-300mj/?cm²。

進(jìn)一步的，所述的導(dǎo)電材料和黑膜進(jìn)行蝕刻前后需要進(jìn)行硬烤工序。

進(jìn)一步的，蝕刻前硬烤溫度220-240℃持續(xù)時間8-10min；蝕刻后硬烤溫度220-240℃持續(xù)時間30-35min。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于利用該生產(chǎn)工藝制作觸摸屏的做黑膜（BM）制成曝光后只蝕刻不剝膜，既能達(dá)到低眩光，又能減少一道金屬光刻制程和剝離制程，提高產(chǎn)出良率。同時該電容觸控屏結(jié)構(gòu)利用黑膜（BM）來遮擋跳躍導(dǎo)體圖層產(chǎn)生的高眩光，提高了外觀水平。

附圖說明

下面對本發(fā)明說明書中每幅附圖表達(dá)的內(nèi)容及圖中的標(biāo)記作簡要說明：

圖1為本發(fā)明電容觸控屏剖視圖；

圖2為傳統(tǒng)工藝電容觸控屏剖視圖；

上述圖中的標(biāo)記均為：1、黑膜圖層；2、樹脂保護(hù)層；3、跳躍導(dǎo)體圖層；4、絕緣架橋?qū)樱?、ITO圖層；6、基板；7、防靜電ITO層；8、二氧化硅保護(hù)層；9、金屬線路。

具體實(shí)施方式

參見圖1可知，電容觸控屏設(shè)有玻璃基板6，基板一面設(shè)有ITO圖層5，基板6該面四周圍有金屬線路9，在ITO圖層每條線路外包裹有POC絕緣架橋?qū)?，絕緣架橋?qū)?外覆蓋有跳躍導(dǎo)體圖層3，跳躍導(dǎo)體圖層3可采用ITO或者金屬導(dǎo)電材料作為涂層，在跳躍導(dǎo)體圖層3外還覆蓋有黑膜（BM）圖層1，該黑膜圖層1用來遮擋金屬（mo/al/mo）跳躍導(dǎo)體帶來的眩光。上述I?TO圖層5、絕緣架橋?qū)?、跳躍導(dǎo)體圖層3和黑膜圖層1的圖案結(jié)構(gòu)相同并相互重疊構(gòu)成電容觸控屏的觸控部。且跳躍導(dǎo)體圖層3和黑膜圖層1的圖案完全重疊，零偏移，有利高效的完全遮擋金屬（mo/al/mo）跳躍導(dǎo)體帶來的眩光。在觸控部覆蓋樹脂保護(hù)層2，基板6背面依次設(shè)有防靜電ITO層7和二氧化硅保護(hù)層8。

上述電容觸控屏的觸控部制造工藝如下：

a、采用真空磁控濺射方法鍍制ITO膜；

b、之后制作ITO圖層5，這里制作ITO圖層5為常規(guī)手段，即采用觸控屏的觸控部黃光光刻技術(shù)，對ITO膜進(jìn)行涂布，烘烤，曝光、顯影，蝕刻，剝離工藝處理，制作成ITO圖層5；