[發明專利]半導體元件的制造方法及半導體元件

無效

• 申請號: 201210163519.2
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN103187305A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 廖政華;謝榮裕;楊令武
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一基底；

在所述基底上形成一第一導體層；

在所述第一導體層上形成一介電層，其中形成所述介電層的步驟包括：

形成一氧化物致密化氧化硅層；以及

在所述介電層上形成一第二導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層的氧對硅的比值為1.5至2.5之間。

3.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中形成一氧化物致密化氧化硅層的方法包括：

形成一氧化硅層；以及

對所述氧化硅層進行氧化物致密化處理。

4.根據權利要求3所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中對所述氧化硅層進行氧化物致密化處理包括對所述氧化硅層進行等離子體致密化處理。

5.根據權利要求4所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化硅層進行等離子體致密化處理是使用射頻或微波源。

6.根據權利要求4所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中對所述氧化硅層進行等離子體致密化處理的溫度是在700℃或700℃以下。

7.根據權利要求3所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化硅層是以低壓化學氣相沉積或原子層沉積，或由自由基氧化物來形成。

8.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層的厚度為15埃到50埃之間。

9.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于還包括在所述基底上形成一絕緣層，其中所述第一導體層是形成在所述絕緣層上。

10.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層為第一氧化物致密化氧化硅層，而其中形成所述介電層的步驟還包括：

在所述第一氧化物致密化氧化硅層上形成一第二氧化物致密化氧化硅層。

11.根據權利要求10所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中形成所述介電層的步驟還包括在所述第一氧化物致密化氧化硅層上形成一氮化硅層，其中所述第二氧化物致密化氧化硅層是形成在所述氮化硅層上。

12.根據權利要求10所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中所述第一氧化物致密化氧化硅層的厚度在約15埃至50埃之間，而所述第二氧化物致密化氧化硅層的厚度在約30埃至80埃之間。

13.一種半導體元件，其特征在于其包括：

一半導體基底；

一第一導體層，形成在所述基底上；

一介電層，形成在所述第一導體層上，其中所述介電層包括氧化物致密化氧化硅層；以及

一第二導體層，形成在所述介電層上。

14.根據權利要求13所述的半導體元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層的氧對硅的比值為1.5至2.5之間。

15.根據權利要求13所述的半導體元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層包括經過等離子體氧化處理的氧化硅層以形成上述氧化物致密化氧化硅層。

16.根據權利要求15所述的半導體元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層已以射頻或微波源進行等離子體氧化處理。

17.根據權利要求15所述的半導體元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層以700℃或700℃以下的溫度進行等離子體氧化處理。

18.根據權利要求15所述的半導體元件，其特征在于其中所述氧化硅層包括以低壓化學氣相沉積或原子層沉積，或由自由基氧化物形成的氧化硅層。

19.根據權利要求13所述的半導體元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅層的厚度為15埃至50埃之間。

20.根據權利要求13所述的半導體元件，其特征在于還包括：

一絕緣層，形成在所述半導體基底上，所述第一導體層形成在所述絕緣層上。