[發明專利]一種用于光刻工藝的溶劑清洗池

有效

• 申請號: 201210162976.X
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN103418568A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 胡林;陳蕾;鮑曄;周孟興
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

技術領域

本發明屬于半導體制造技術領域，涉及一種用于半導體工藝制程的溶劑清洗池，尤其是指用于光刻工藝的溶劑清洗池。

背景技術

在現有的半導體光刻工藝流程中，通常一部光刻軌道機（PH?Track?Tool）具有4個光阻涂覆機構（Coater?Unit），而每個光阻涂覆機構中都能設置4種不同的光阻。但是每個光阻涂覆機構卻只設置有一個溶劑清洗池。

如圖1所示，為現有技術中的光阻涂覆機構的溶劑清洗池的結構示意圖。所述的溶劑清洗池1’安裝在光阻涂覆機構的一側，其底部通過管道4’吐出稀釋劑（Thinner）；其頂部設置有4個通孔2’，用于分別放置能夠涂覆4種不同光阻的4個光阻噴嘴3’，使4個光阻噴嘴3’位于原始位置（Home?Position）。

當需要對晶圓表面進行光阻涂覆時，利用步進電機驅動其中一個光阻手臂移動，從而帶動該光阻手臂上的一個光阻噴嘴3’移動至晶圓中心上方位置進行光阻涂覆。

當完成光阻涂覆之后，同樣利用步進電機驅動光阻手臂，從而使該光阻手臂上的光阻噴嘴3’移動至溶劑清洗池1’的頂部通孔2’內，返回原始位置；此時，光阻噴嘴3’的頂端伸入放置在溶劑清洗池1’內。為了保護光阻質量并且防止光阻噴嘴3’頂端的光阻結晶凝固，溶劑清洗池1’從底部管道4’以一定的流速和頻率吐出稀釋劑，使得稀釋劑在溶劑清洗池1’內部以一定的流速和頻率在光阻噴嘴3’頂端周圍流動，從而保證光阻不會結晶凝固，以便于該光阻噴嘴3’可隨時對晶圓表面進行光阻涂覆，不會耽誤整個光刻工藝流程的進行。

但是，現有技術所使用的溶劑清洗池存在以下問題，4種分別用來涂覆不同類型光阻的光阻噴嘴共享一個溶劑清洗池，也就是說，4種不同類型的光阻使用同一種稀釋劑進行清洗。而各種不同類型的光阻可能具有完全不同的特性，分別需要不同種類的稀釋劑進行清洗才更為合適。如果共享同一種稀釋劑，可能其中一種光阻會影響另一種光阻的特性，并且導致其余光阻噴嘴頂端的結晶凝固，進而直接影響晶圓表面的光阻涂覆效果或產生彩紋。

另外，由于不同的光阻需要溶劑清洗池以不同的流速和頻率吐出稀釋劑對其進行保護和清洗，如果四種光阻共享一個溶劑清洗池的話，就必須采用其中最高的流速和頻率以兼容適用于所有4種光阻的清洗需要，長期以往，會加速溶劑清洗池的損耗從而使得維護成本大大提高。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于光刻工藝的溶劑清洗池，其為每個光阻噴嘴設置單獨的溶劑清洗單元，并且對于每種類型的光阻采用相應的稀釋劑以及稀釋劑吐出速率和頻率，能有效避免不同光阻之間的相互影響，提高溶劑清洗池工作效率以及晶圓的涂覆質量。

為了達到上述目的，本發明的技術方案是提供一種用于光刻工藝的溶劑清洗池，該溶劑清洗池安裝在光阻涂覆機構的一側；特點是，該溶劑清洗池內依次分隔設置有若干個單獨的溶劑清洗單元；每個溶劑清洗單元的底部分別通過管道吐出稀釋劑；每個溶劑清洗單元的頂部分別設置有通孔，用于放置光阻噴嘴位于原始位置。

所述的每個溶劑清洗單元根據放置其中的光阻噴嘴所吐出的光阻類型，由管道吐出與所述光阻類型相對應的稀釋劑。

所述的每個溶劑清洗單元根據放置其中的光阻噴嘴所吐出的光阻類型，以相應的流速和頻率吐出稀釋劑。

本發明所提供的用于光刻工藝的溶劑清洗池，為每個光阻噴嘴設置單獨的溶劑清洗單元，能保護各種不同類型的光阻質量，使其相互間不受影響，且能夠有效防止光阻噴嘴頂端的光阻結晶凝固，可隨時對晶圓表面進行光阻涂覆，不會耽誤整個光刻工藝流程的進行，并且能夠提高晶圓的涂覆質量。

本發明所提供的用于光刻工藝的溶劑清洗池，對于每種類型的光阻分別采用相應的稀釋劑以及稀釋劑吐出速率和頻率，有效提高溶劑清洗池工作效率，降低維護成本。

附圖說明

圖1是現有技術中用于光刻工藝的溶劑清洗池的結構示意圖；

圖2是本發明中用于光刻工藝的溶劑清洗池的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合圖2，通過詳細描述來說明本發明的具體實施方式。

如圖2所示，為本發明中用于光刻工藝的溶劑清洗池的結構示意圖。所述的溶劑清洗池1安裝在光阻涂覆機構的一側，該溶劑清洗池1內依次分隔設置有若干個單獨的溶劑清洗單元11，每個溶劑清洗單元11的底部分別通過管道4吐出稀釋劑，每個溶劑清洗單元11的頂部分別設置有通孔2，用于放置光阻噴嘴3位于原始位置。