[發(fā)明專利]一種FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210161290.9
• 申請(qǐng)日: 2012-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN102683418A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉立濱;梁仁榮;王敬;許軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，包括：

襯底；

體區(qū)，所述體區(qū)形成在所述襯底之上；

源極、漏極和鰭，所述源極、漏極和鰭形成在所述體區(qū)之上，所述鰭位于源極與漏極之間；

源極金屬層和漏極金屬層，所述源極金屬層形成在所述源極之上，所述漏極金屬層形成在所述漏極之上；

柵介質(zhì)層和柵極，所述柵介質(zhì)層形成在所述鰭之上，所述柵極形成在所述柵介質(zhì)之上；

鈍化層，所述鈍化層形成在未被所述源極、漏極和鰭覆蓋的體區(qū)之上。

2.如權(quán)利要求1所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，在所述襯底和體區(qū)之間形成有埋層，所述埋層為絕緣材料形成。

3.如權(quán)利要求1所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述襯底之下形成有襯底電極。

4.一種FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供襯底；

S2：在所述襯底上形成體區(qū)；

S3：在所述體區(qū)上形成隔離層；

S4：光刻，刻蝕所述隔離層直至所述體區(qū)暴露；

S5：在步驟S4暴露的體區(qū)上形成外延層，在所述外延層上形成源極、漏極和鰭；

S6：在所述鰭上形成柵介質(zhì)層，在所述柵介質(zhì)層上形成柵極；

S7：在所述源極上形成源極金屬層，在所述漏極上形成漏極金屬層。

5.如權(quán)利要求4所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，在步驟S1之后具有以下步驟：在所述襯底上形成埋層，所述體區(qū)形成在所述埋層之上，所述埋層為絕緣材料形成。

6.如權(quán)利要求4所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：在所述襯底之下形成襯底電極。

7.如權(quán)利要求4所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，在步驟S3中，所述隔離層為體區(qū)靠近上表層的部分氧化而成，所述隔離層的厚度為5nm-100nm。

8.如權(quán)利要求4所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，在步驟S5和S6之間還具有以下步驟：

S51：光刻，刻蝕所述隔離層和體區(qū)直至暴露所述埋層；

S52：形成鈍化層，所述鈍化層形成在未被所述埋層和隔離層覆蓋的所有區(qū)域之上；

S53：光刻，刻蝕所述鰭上的鈍化層形成柵堆疊窗口，所述柵介質(zhì)層和柵極形成在所述柵堆疊窗口之上。

9.如權(quán)利要求8所述的FINFET動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，所述鈍化層是將未被所述埋層和隔離層覆蓋的區(qū)域的靠近上表層的部分氧化而成。