[發明專利]微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法

有效

• 申請號: 201210159883.1
• 申請日: 2012-05-21
• 公開（公告）號: CN103424998A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 章安娜;李曉明;賀亦峰;許凌燕
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;B81C1/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術領域

本發明涉及半導體工藝，特別是涉及一種微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法。

背景技術

微電機系統（MEMS）中常會用到聚酰亞胺（Polyimide,PI），例如在一些MEMS產品中可以作為絕緣層。聚酰亞胺需要經過刻蝕以實現圖形轉移，但刻蝕后會使光刻膠表面的性質發生改變，變得與聚酰亞胺的性質相似，因此不宜采用干法去膠工藝進行去膠，否則會在去膠的同時去除聚酰亞胺。

傳統工藝中在聚酰亞胺刻蝕后通常采用濕法去膠，但會存在去膠不凈的現象，不利于后續膜的生長和產品性能的保證，導致圓片返工，使返工率增加，不利于正常的生產。

發明內容

基于此，有必要針對傳統工藝中去膠不凈的問題，提供一種微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法。

一種微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，包括下列步驟：采用干法去膠機臺在頂針頂起狀態下對圓片的光刻膠表面進行預處理，包括用等離子體對所述光刻膠表面進行轟擊；對所述光刻膠進行濕法去膠。

在其中一個實施例中，所述預處理步驟是在干法刻蝕步驟之后進行的。

在其中一個實施例中，所述濕法去膠步驟之后包括用顯微鏡對去膠情況進行檢查的步驟。

在其中一個實施例中，所述濕法去膠步驟中采用正性去膠液進行去膠。

在其中一個實施例中，所述預處理步驟中所述干法去膠機臺的腔體溫度為250攝氏度。

在其中一個實施例中，所述預處理步驟的處理時間為30秒。

在其中一個實施例中，所述預處理步驟中等離子體轟擊去除的光刻膠厚度為

上述微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，首先在頂針頂起狀態對光刻膠表面進行預處理，然后進行濕法去膠。由于頂針頂起狀態反應的劇烈程度相對來說要輕微許多，因此不至于造成聚酰亞胺被一同去除。另外進行過預處理后，在濕法去膠工序中光刻膠就很容易被去掉，因此去膠會很干凈，為產品在聚酰亞胺刻蝕后的膜生長提供良好的條件，保障了產品的性能，并降低了去膠的返工率，提升了產能。且由于預處理后濕法去膠工序中光刻膠很容易去掉，因此不再需要頻繁對去膠液進行換液，提高了正性去膠液的利用率。

附圖說明

圖1是一實施例微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法的流程圖；

圖2是另一實施例微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

圖1是一實施例的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法的流程圖，包括下列步驟：

S110，采用干法去膠機臺，在頂針頂起（Pin?up）狀態下對圓片（wafer）的光刻膠表面進行預處理。

預處理步驟具體是在一定的溫度下，且頂針將圓片頂起的狀態下用等離子體對光刻膠表面進行轟擊。

S120，對光刻膠進行濕法去膠。

在其中一個實施例中，采用正性去膠液進行去膠。

由于刻蝕后光刻膠表面的性質發生改變主要是在干法刻蝕后較為明顯，因此在優選的實施例中，步驟S110是在干法刻蝕聚酰亞胺步驟S108之后進行的，參見圖2。

在其中一個實施例中，步驟S110中干法去膠機臺的腔體溫度可以設定為200~250攝氏度，優選為250攝氏度。預處理的時間為25~35秒，優選為30秒。在預處理的時間內，圓片逐漸升溫，最終圓片表面溫度會達到170攝氏度左右。預處理中等離子體轟擊去除的光刻膠厚度為左右。

如圖2所示，在另一個實施例中，步驟S120完成后還可以包括用顯微鏡對去膠情況進行檢查的步驟S130。根據檢查結果，可能需要進行返工進行二次去膠，或者調整步驟S110和S120中的去膠參數（例如去膠的溫度、時間等）。

上述微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，首先在頂針頂起狀態對光刻膠表面進行預處理，然后進行濕法去膠。由于預處理時頂針處于Pin?up狀態，加之控制了腔體的溫度及反應時間，反應的劇烈程度相對來說要輕微許多，因此不至于造成聚酰亞胺被一同去除。另外進行過預處理后，在濕法去膠工序中光刻膠就很容易被去掉，因此去膠會很干凈，為產品在聚酰亞胺刻蝕后的膜生長提供良好的條件，保障了產品的性能，并降低了去膠的返工率，提升了產能。且由于預處理后濕法去膠工序中光刻膠很容易去掉，因此不再需要頻繁對去膠液進行換液，提高了正性去膠液的利用率。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。