[發明專利]微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法有效
| 申請號： | 201210159883.1 | 申請日： | 2012-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN103424998A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 章安娜;李曉明;賀亦峰;許凌燕 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微電機 系統 制造 工藝 聚酰亞胺 刻蝕 去除 光刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，包括下列步驟：
采用干法去膠機臺在頂針頂起狀態下對圓片的光刻膠表面進行預處理，包括用等離子體對所述光刻膠表面進行轟擊；
對所述光刻膠進行濕法去膠。
2.根據權利要求1所述的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，其特征在于，所述預處理步驟是在干法刻蝕步驟之后進行的。
3.根據權利要求1所述的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，其特征在于，所述濕法去膠步驟之后包括用顯微鏡對去膠情況進行檢查的步驟。
4.根據權利要求1所述的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，其特征在于，所述濕法去膠步驟中采用正性去膠液進行去膠。
5.根據權利要求1所述的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，其特征在于，所述預處理步驟中所述干法去膠機臺的腔體溫度為250攝氏度。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，其特征在于，所述預處理步驟的處理時間為30秒。
7.根據權利要求6所述的微電機系統制造工藝中聚酰亞胺刻蝕后去除光刻膠的方法，其特征在于，所述預處理步驟中等離子體轟擊去除的光刻膠厚度為
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