[發明專利]一種碳納米壁的制備方法

無效

• 申請號: 201210159757.6
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN103420354A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 周明杰;袁新生;王要兵
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種碳納米壁的制備方法，包括如下步驟：

將金屬襯底用濃度為0.01～1mol/L的酸液進行刻蝕；

將經刻蝕后的所述金屬襯底置于反應室中，并排除所述反應室中的空氣；

將置于反應室中的所述金屬襯底加熱至700～1100℃后，向排除空氣的所述反應室中持續通入體積比為1：2～10的保護性氣體與碳源氣體的混合氣體進行反應，并保持1～300分鐘，在所述金屬襯底表面生長所述碳納米壁。

2.根據權利要求1所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述金屬襯底加熱至900～1100℃，反應時間60～120分鐘。

3.根據權利要求1或2所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述碳源氣體為甲烷、乙烷、乙炔、乙醇中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述酸液濃度為0.1～0.5mol/L。

5.根據權利要求1或4所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述酸液對所述金屬襯底進行刻蝕的時間為30～180秒。

6.根據權利要求1或2所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述金屬襯底為鐵箔、鎳箔、鈷箔、銅箔中的一種或兩種以上的組合。

7.根據權利要求1或2所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：排除所述反應室中的空氣的方法是向所述反應室中持續通入保護性氣體排除所述反應室中的空氣。

8.根據權利要求7所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述保護性氣體為氫氣、氮氣、氬氣中的至少一種。

9.根據權利要求7所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：在所述反應室中，所述碳源氣體的流量為10～1000sccm。

10.根據權利要求7所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：待反應完畢后，還包括冷卻的步驟：停止向所述反應室中通入碳源氣體并停止對所述金屬襯底加熱，待所述反應室冷卻至室溫后停止通入保護性氣體。