[發(fā)明專利]一種碳納米壁的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210159757.6
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN103420354A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;袁新生;王要兵
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種碳納米壁的制備方法，包括如下步驟：

將金屬襯底用濃度為0.01～1mol/L的酸液進(jìn)行刻蝕；

將經(jīng)刻蝕后的所述金屬襯底置于反應(yīng)室中，并排除所述反應(yīng)室中的空氣；

將置于反應(yīng)室中的所述金屬襯底加熱至700～1100℃后，向排除空氣的所述反應(yīng)室中持續(xù)通入體積比為1：2～10的保護(hù)性氣體與碳源氣體的混合氣體進(jìn)行反應(yīng)，并保持1～300分鐘，在所述金屬襯底表面生長所述碳納米壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述金屬襯底加熱至900～1100℃，反應(yīng)時(shí)間60～120分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述碳源氣體為甲烷、乙烷、乙炔、乙醇中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述酸液濃度為0.1～0.5mol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述酸液對所述金屬襯底進(jìn)行刻蝕的時(shí)間為30～180秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述金屬襯底為鐵箔、鎳箔、鈷箔、銅箔中的一種或兩種以上的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：排除所述反應(yīng)室中的空氣的方法是向所述反應(yīng)室中持續(xù)通入保護(hù)性氣體排除所述反應(yīng)室中的空氣。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：所述保護(hù)性氣體為氫氣、氮?dú)狻鍤庵械闹辽僖环N。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：在所述反應(yīng)室中，所述碳源氣體的流量為10～1000sccm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳納米壁的制備方法，其特征在于：待反應(yīng)完畢后，還包括冷卻的步驟：停止向所述反應(yīng)室中通入碳源氣體并停止對所述金屬襯底加熱，待所述反應(yīng)室冷卻至室溫后停止通入保護(hù)性氣體。