[發明專利]一種具有低操作電壓的BE-SONOS結構器件及形成方法有效
| 申請號： | 201210158901.4 | 申請日： | 2012-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN102709330A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 田志 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/788 | 分類號： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 操作 電壓 be sonos 結構 器件 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有低操作電壓的BE-SONOS結構器件，其特征在于，硅襯底上設有多層結構的柵極，所述柵極從下至上包括：
氧化硅層（31）、漸變氮化硅層（32）、氮氧化硅層（33）、氮化硅層（34）、阻擋氧化層（35）和控制柵（36），所述氧化硅層與硅襯底相接觸。
2.根據權利要求1所述BE-SONOS結構器件，所述硅襯底為P型硅襯底。
3.根據權利要求1所述BE-SONOS結構器件，所述氧化硅層（31）的厚度為1.5nm，漸變氮化硅層（32）的厚度為2.0nm、氮氧化硅層（33）的厚度為2.5nm、氮化硅層（34）的厚度為7nm、阻擋氧化層（35）的厚度為9nm。
4.一種形成權利要求1所述具有低操作電壓的BE-SONOS結構器件的方法，其特征在于，在硅襯底上先后制備氧化硅層（31）、漸變氮化硅層（32）、氮氧化硅層（33）、氮化硅層（34）、阻擋氧化層（35）和控制柵（36），后刻蝕除去多余部分形成柵極。
5.根據權利要求4所述方法，其特征在于，形成的氧化硅層（31）厚度為1.5nm，漸變氮化硅層（32）厚度為2.0nm、氮氧化硅層（33）厚度為2.5nm、氮化硅層（34）厚度為7nm、阻擋氧化層（35）厚度為9nm。
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