[發明專利]一種形成雙應力刻蝕阻擋層的方法

有效

• 申請號: 201210158828.0
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102709247A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 徐強
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/318
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，包括：具有PMOS區域與NMOS區域的半導體器件，其特征在于，還包括以下工藝步驟：

步驟一，在PMOS區域與NMOS區域上方沉積高壓應力氮化硅層；

步驟二，在PMOS區域上方高壓應力氮化硅層的上表面生成光刻阻擋層，并對NMOS區域上高壓應力氮化硅層進行部分刻蝕，使NMOS區域上殘留部分高壓應力氮化硅層；

步驟三，對NMOS區域上的高壓應力氮化硅層進行第二次刻蝕，將殘留部分的高壓應力氮化硅層完全移除，同時PMOS區域上高壓應力氮化硅層未被光刻阻擋層覆蓋的側面也被刻蝕一部分；

步驟四，去除PMOS區域上光刻阻擋層；

步驟五，在所述PMOS區域上方高壓應力氮化硅層以及PMOS的上表面覆蓋高拉應力氮化硅層；

步驟六，在所述NMOS區域上方的高拉應力氮化硅層上表面生成光刻阻擋層，并對所述PMOS區域上方的高拉應力氮化硅層進行刻蝕，使PMOS區域上方的所述高壓應力氮化硅層完全露出；

步驟七，移除所述NMOS區域上方的所述光刻阻擋層。

2.根據權利要求1所述的形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟二中對NMOS區域上高壓應力氮化硅層進行部分刻蝕的方法為選擇性干法刻蝕方法。

3.根據權利要求1所述的形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟三中的第二次刻蝕的方法為遠端等離子體化學刻蝕的方法。

4.根據權利要求3所述的形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述遠端等離子體化學刻蝕所采用的氣體為：NH3、H2以及NF3。

5.根據權利要求1所述的形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟三中，所述PMOS區域6、上高壓應力氮化硅層的側面也被刻蝕一部分，是通過控制所述第二次刻蝕的時間來控制。

6.根據權利要求1所述的形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述高壓應力氮化硅層的沉積厚度與所述高拉應力氮化硅層沉積的厚度一致。

7.根據權利要求1所述的形成雙應力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟七中，移除所述NMOS區域上方的所述光刻阻擋層后，所述高壓應力氮化硅層與所述高拉應力氮化硅層的連接點的上表面為平面。