[發(fā)明專利]一種形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210158826.1
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102709246A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，包括：具有NMOS區(qū)域與PMOS區(qū)域的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括以下工藝步驟：

步驟一，在NMOS區(qū)域與PMOS區(qū)域上方沉積高拉應(yīng)力氮化硅層；

步驟二，在NMOS區(qū)域上方高拉應(yīng)力氮化硅層的上表面生成光刻阻擋層，并對PMOS區(qū)域上高拉應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行部分刻蝕，使PMOS區(qū)域上殘留部分高拉應(yīng)力氮化硅層；

步驟三，對PMOS區(qū)域上的高拉應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行第二次刻蝕，將殘留部分的高拉應(yīng)力氮化硅層完全移除，同時NMOS區(qū)域上高拉應(yīng)力氮化硅層未被光刻阻擋層覆蓋的側(cè)面也被刻蝕一部分；

步驟四，去除NMOS區(qū)域上光刻阻擋層；

步驟五，在所述NMOS區(qū)域上方高拉應(yīng)力氮化硅層以及PMOS的上表面覆蓋高壓應(yīng)力氮化硅層；

步驟六，在所述PMOS區(qū)域上方的高壓應(yīng)力氮化硅層上表面生成光刻阻擋層，并對所述NMOS區(qū)域上方的高壓應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行刻蝕，使NMOS區(qū)域上方的所述高拉應(yīng)力氮化硅層完全露出；

步驟七，移除所述PMOS區(qū)域上方的所述光刻阻擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟二中對PMOS區(qū)域上高拉應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行部分刻蝕的方法為選擇性干法刻蝕方法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟三中的第二次刻蝕的方法為遠(yuǎn)端等離子體化學(xué)刻蝕的方法。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述遠(yuǎn)端等離子體化學(xué)刻蝕所采用的氣體為：NH3、H2以及NF3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟三中，所述NMOS區(qū)域6、上高拉應(yīng)力氮化硅層的側(cè)面也被刻蝕一部分，是通過控制所述第二次刻蝕的時間來控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述高拉應(yīng)力氮化硅層的沉積厚度與所述高壓應(yīng)力氮化硅層沉積的厚度一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力刻蝕阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟七中，移除所述PMOS區(qū)域上方的所述光刻阻擋層后，所述高拉應(yīng)力氮化硅層與所述高壓應(yīng)力氮化硅層的連接點的上表面為平面。