[發明專利]一種減少ALD工藝管路顆粒的方法無效
| 申請號: | 201210158711.2 | 申請日: | 2012-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN102703882A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 江潤峰 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減少 ald 工藝 管路 顆粒 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種減少管路顆粒的方法,尤其涉及一種減少ALD工藝管路顆粒的方法。
背景技術
原子層沉積(Atom?layer?deposition,簡稱ALD)工藝由于其優異的臺階覆蓋率,精確的厚度控制,較低的反應溫度,良好的薄膜性能等,而被認為是一種較大潛力的薄膜制備工藝。由圖1所示,在氣源瓶中插入進氣管路1與出氣管路2,并在氣源瓶3中注入反應前驅液體4,進氣管路1的位于反應前驅液體4的上方,而出氣管路2位于反應前驅液體4中,出氣管路2遠離氣源瓶3的一端連接反應腔5,此工藝實現了接近單原子層厚度的生成物沉積,但由于其反復的進行反應氣體的開關(如要生成10納米的薄膜,大約需要反復開關100次)和使用液體前驅體氣源,容易形成管路的氣體殘余和聚積(特別是在管路上低溫的點上)。如圖3所示,為薄膜沉積中的一個反應周期的工藝的示意圖,隨著聚積不斷增加,會周期性的產生顆粒問題。然而,這種顆粒的產生在后序的濕法清洗中是不可以去除的。從而需要進行氣源更換和管路清洗。
如圖2A-2C所示,為管路中形成殘余聚積的顆粒過程示意圖,隨著管路中氣線上有少量的殘余的產生,殘余顆粒不斷積聚變大,最后掉入反應腔內。??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????
發明內容????
發明公開了一種減少ALD工藝管路顆粒的方法。用以解決現有技術中由于其反復的進行反應氣體的開關和使用液體前驅體氣源,產生管路的氣體殘余和聚積,并隨著管路的氣體殘余和聚積的不斷增加會產生顆粒問題。
為實現上述目的,發明采用的技術方案是:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





