[發明專利]一種減少ALD工藝管路顆粒的方法無效
| 申請號: | 201210158711.2 | 申請日: | 2012-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN102703882A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 江潤峰 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減少 ald 工藝 管路 顆粒 方法 | ||
1.一種減少ALD工藝管路顆粒的方法,包括:進氣管路、出氣管路、氣源瓶以及反應腔,所述進氣管路與所述出氣管路均與氣源瓶連接,所述出氣管遠離氣源瓶的一端連接反應腔,其特征在于,使所述氣源瓶中注入反應前驅液體,所述進氣管路連接氣源瓶的一端向氣源瓶底延伸,使進氣管路的出氣口位于所述反應前驅液體的液面之下,所述出氣管路連接氣源瓶的一端向氣源瓶底延伸,使出氣管路的出氣口位于所述反應前驅液體的液面之上,所述出氣管路外設有加熱保護套。
2.根據權利要求1所述的減少ALD工藝管路顆粒的方法,其特征在于,所述加熱保護套的加熱溫度為135度。
3.根據權利要求1所述的減少ALD工藝管路顆粒的方法,其特征在于,所述進氣管路與所述氣源瓶的連接處為密封方式連接。
4.根據權利要求1所述的減少ALD工藝管路顆粒的方法,其特征在于,所述出氣管路與所述氣源瓶以及反應腔的連接處為密封方式連接。
5.根據權利要求1所述的減少ALD工藝管路顆粒的方法,其特征在于,所述出水管路中設有凈化氣體管。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





