[發(fā)明專利]基板處理裝置、基板保持裝置及基板保持方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210158626.6 | 申請日: | 2012-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN102903658A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 水端稔 | 申請(專利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 保持 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用于對基板實(shí)施規(guī)定處理,其特征在于,
具有:
保持板,形成有與基板的背面相向的保持面,
一個(gè)以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通過真空吸引來將所述基板吸引在所述保持面上,
多個(gè)伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通過伯努利吸引來將所述基板吸引在所述保持面上;
在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域,在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有:
堤部,沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置,
多個(gè)突起部,立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域;
所述堤部的頂部和所述多個(gè)突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的基板處理裝置,其特征在于,
在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個(gè)所述伯努利吸引口,
配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個(gè)伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1記載的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置具有多個(gè)所述真空吸引口,
在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個(gè)弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自的區(qū)域,分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口;
該基板處理裝置具有:
堤部,以分別包圍所述多個(gè)弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置,
多個(gè)突起部,立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域中;
所述堤部的頂部和所述多個(gè)突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4記載的基板處理裝置,其特征在于,所述多個(gè)弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1記載的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有用于對所述保持面上的壓力進(jìn)行檢測的壓力傳感器,
在所述保持面上一載置基板,就開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引;
如果在從開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引起經(jīng)過了所規(guī)定的時(shí)間而所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力,則開始利用所述伯努利吸引口來進(jìn)行吸引。
7.根據(jù)權(quán)利要求6記載的基板處理裝置,其特征在于,在開始利用所述伯努利吸引口進(jìn)行吸引之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力時(shí),停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
8.根據(jù)權(quán)利要求1記載的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有:
凹部,形成在所述保持板的背面?zhèn)龋摪疾吭谏疃确较蛏系牡酌嫣幣c所述伯努利吸引口相連通,
伯努利吸引單元,配置在所述凹部的內(nèi)部;
所述伯努利吸引單元具有:
主體部,形成有圓柱狀的凹入空間,
噴嘴,向所述圓柱狀的凹入空間噴出氣體,從而在所述圓柱狀的凹入空間形成旋流;
在所述主體部與所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之間形成有間隙,并且所述主體部以固定的方式被支撐在所述凹部內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8記載的基板處理裝置,其特征在于,所述伯努利吸引口的直徑尺寸小于所述圓柱狀的凹入空間的直徑尺寸。
10.一種基板保持裝置,用于保持基板,其特征在于,
具有:
保持板,形成有與基板的背面相向的保持面,
一個(gè)以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通過真空吸引來將所述基板吸引在所述保持面上,
多個(gè)伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通過伯努利吸引來將所述基板吸引在所述保持面上;
在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域,在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。
11.根據(jù)權(quán)利要求10記載的基板保持裝置,其特征在于,
該基板保持裝置具有:
堤部,沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置,
多個(gè)突起部,立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域;
所述堤部的頂部和所述多個(gè)突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





