[發(fā)明專利]元器件內(nèi)置模塊、及元器件內(nèi)置模塊的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210157226.3
• 申請(qǐng)日: 2012-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN102791082A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 越智 正三;林 祥剛;大谷 和夫;前羽 陽介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05K3/30
• 分類號(hào): H05K3/30;H05K1/18;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張?chǎng)?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于使用例如電絕緣片材構(gòu)件來內(nèi)置電子元器件的、元器件內(nèi)置模塊及元器件內(nèi)置模塊的制造方法。

背景技術(shù)

近年來，對(duì)電子設(shè)備小型輕量化及多功能高性能化的要求進(jìn)一步激增，所處理的數(shù)據(jù)量也呈現(xiàn)飛躍性的增加。

因此，對(duì)于電子設(shè)備所使用的布線基板，要求高密度地安裝電子元器件。

為了高密度地安裝電子元器件，進(jìn)行了一種三維安裝技術(shù)的開發(fā)，該三維安裝技術(shù)用于在布線基板中制成薄膜化的電子元器件，或在布線基板中內(nèi)置現(xiàn)有的電子元器件即半導(dǎo)體及電容器等。

作為上述三維安裝技術(shù)的一個(gè)例子，存在以下元器件內(nèi)置模塊，該元器件內(nèi)置模塊向包含無機(jī)填充材料和熱固化樹脂的電絕緣片材構(gòu)件中埋入半導(dǎo)體等有源元器件及電容器等無源元器件。

由于大量含有微粒狀的無機(jī)填充材料，因此，元器件內(nèi)置模塊具有高散熱性，且介電常數(shù)低，能容易埋設(shè)電子元器件。

而且，由于能將布線形成得較短，還能具有屏蔽效果，因此，元器件內(nèi)置模塊的抗噪性較高，能用作為進(jìn)行高密度三維安裝的高頻動(dòng)作對(duì)應(yīng)布線基板。

作為使元器件內(nèi)置模塊的上下布線圖案間導(dǎo)通的方法，已知有一種方法是在片材構(gòu)件上形成通孔，向該通孔填充導(dǎo)電性糊料，從而形成通孔導(dǎo)體(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

此處，主要參照?qǐng)D9～圖13，來具體說明上述那樣的現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法。

此外，圖9(A)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構(gòu)件110的形成相關(guān)的粘貼保護(hù)膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖，圖9(B)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與形成由空腔104的片材構(gòu)件110的形成相關(guān)的形成空腔104的示意性的垂直剖視圖，圖9(C)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構(gòu)件110的形成相關(guān)的粘貼新保護(hù)膜102c的示意性的垂直剖視圖，圖9(D)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構(gòu)件110的形成相關(guān)的形成通孔105的示意性的垂直剖視圖，圖9(E)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構(gòu)件110的形成相關(guān)的填充導(dǎo)電性糊料106的示意性的垂直剖視圖，圖9(F)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構(gòu)件110的形成相關(guān)的剝離保護(hù)膜102a及102c的示意性的垂直剖視圖。

此外，圖10(A)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構(gòu)件120的形成相關(guān)的粘貼保護(hù)膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖，圖10(B)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構(gòu)件120的形成相關(guān)的形成通孔105的示意性的垂直剖視圖，圖10(C)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構(gòu)件120的形成相關(guān)的填充導(dǎo)電性糊料106的示意性的垂直剖視圖，圖10(D)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構(gòu)件120的形成相關(guān)的剝離保護(hù)膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖。

另外，圖11(A)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態(tài)的示意性的垂直剖視圖，圖11(B)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓時(shí)的狀態(tài)的示意性的垂直剖視圖，圖11(C)是用于說明第1現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓后的狀態(tài)的示意性的垂直剖視圖。

此外，圖12(A)是用于說明第2現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓時(shí)的狀態(tài)的示意性的水平剖視圖，圖12(B)是用于說明第2現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓后的狀態(tài)的示意性的水平剖視圖。

此外，圖13(A)是用于說明第3現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓時(shí)的狀態(tài)的示意性的水平剖視圖，圖13(B)是用于說明第3現(xiàn)有元器件內(nèi)置模塊的制造方法的熱壓步驟中的、熱壓后的狀態(tài)的示意性的水平剖視圖。

圖中，水平剖視圖是以與片材構(gòu)件相平行的水平面來進(jìn)行切割的剖視圖，垂直剖視圖是以與該水平面相垂直的垂直面來進(jìn)行切割的剖視圖(以下都相同)。

如圖9(A)所示，通過在未固化的組合物片材101的兩面粘貼保護(hù)膜102a及102b，來形成厚度為100μm左右的片材構(gòu)件103。