[發明專利]具有偏置鈍化以減少電遷移的半導體結構

有效

• 申請號: 201210156264.7
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN102790030A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: M·J·英特蘭特;G·拉封唐;M·J·沙皮羅;T·A·瓦西克;B·C·韋伯
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種半導體結構，包括：

延伸穿過半導體結構的硅通孔TSV；

半導體結構表面處的導電襯墊，TSV以接觸到導電焊盤的第一側而終止；

覆蓋導電襯墊的鈍化層，所述鈍化層具有多個開口；以及

形成在多個開口內并且與所述導電襯墊的第二側相接觸的多個導電結構，所述多個導電結構與導電襯墊的接觸相對于TSV與所述導電襯墊的接觸偏置。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中多個導電結構與導電襯墊的邊緣以預定的距離間隔開。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中多個導電結構相對于TSV以預定的距離偏置。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中TSV具有相對于導電襯墊的印跡，印跡被界定為TSV在導電襯墊第一側上的接觸區域，與導電襯墊第二側并置，就像TSV是與導電襯墊的第二側相接觸一樣，并且其中多個導電結構不接觸或覆蓋TSV的印跡。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中多個導電結構包括至少兩個這樣的導電結構。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中電流從半導體結構穿過TSV沿導電襯墊橫向行進預定距離并隨后穿過多個導電結構。

7.一種半導體結構，包括：

三維結構的多個堆疊的半導體芯片；

與第二半導體芯片相接觸的第一半導體芯片，所述第一半導體芯片包括：

延伸穿過所述第一半導體芯片的硅通孔TSV；

第一半導體芯片表面處的導電襯墊，所述TSV以接觸到導電襯墊的第一側而終止；

覆蓋導電襯墊的鈍化層，所述鈍化層具有多個開口；以及

形成在多個開口內并且與導電襯墊的第二側相接觸的多個導電結構，多個導電結構與導電襯墊的接觸相對于TSV與導電襯墊的接觸偏置。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其中第二半導體芯片包括：

延伸穿過第二半導體芯片的硅通孔TSV；

第二半導體芯片表面處的導電襯墊，所述TSV以接觸到導電襯墊的第一側而終止；

覆蓋導電襯墊的鈍化層，所述鈍化層具有多個開口；以及

形成在多個開口內并且與導電襯墊的第二側相接觸的多個導電結構，所述多個導電結構與導電襯墊的接觸相對于所述TSV與導電襯墊的接觸偏置。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其中多個導電結構與導電襯墊的邊緣以預定的距離間隔開。

10.如權利要求7所述的半導體結構，其中多個導電結構相對于所述TSV以預定的距離偏置。

11.如權利要求7所述的半導體結構，其中TSV具有相對于導電襯墊的印跡，印跡被界定為TSV在導電襯墊第一側上的接觸區域，與導電襯墊第二側并置，就像TSV是與導電襯墊的第二側相接觸一樣，并且其中多個導電結構并不接觸或覆蓋TSV的印跡。

12.如權利要求7所述的半導體結構，其中多個導電結構包括至少兩個這樣的導電結構。

13.如權利要求7所述的半導體結構，其中電流從半導體結構穿過TSV，沿導電襯墊橫向行進預定距離并隨后穿過多個導電結構。

14.如權利要求7所述的半導體結構，其中多個導電結構與第二半導體芯片形成電接觸。

15.如權利要求7所述的半導體結構，進一步包括封裝基板，并且其中多個導電結構與封裝基板形成電接觸。

16.一種減少半導體芯片內的電遷移的方法，所述方法包括：

獲取一種半導體結構，其中包括延伸穿過半導體結構的硅通孔TSV，半導體結構表面處的導電襯墊，TSV以接觸到導電襯墊的第一側而終止，以及覆蓋導電襯墊的鈍化層；

在鈍化層內形成多個開口；以及

將多個導電結構形成在多個開口內并且與導電襯墊的第二側相接觸，多個導電結構與導電襯墊的接觸相對于TSV與導電襯墊的接觸偏置。