[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210154992.4 | 申請日: | 2012-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN102956667B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金廣海;崔宰凡;鄭寬旭;李俊雨 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志遠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2011年8月26日向韓國知識產權局提交的第10-2011-0085816號韓國專利申請的權益,其全部公開內容通過引用并入本文。
背景技術
有機發(fā)光顯示裝置可包括例如薄膜晶體管(TFT)以及可由TFT驅動并可產生圖像的有機電致發(fā)光裝置(EL裝置)。TFT可包括例如堆疊在襯底上的柵電極、有源層、源電極和漏電極。有機EL裝置可包括例如像素電極、面對像素電極設置的相對電極、以及位于像素電極與相對電極之間的發(fā)光層。
發(fā)明內容
實施方式可通過提供一種有機發(fā)光顯示裝置來實現(xiàn),該有機發(fā)光顯示裝置包括形成于襯底上的不同層上的柵電極以及源電極和漏電極、分別連接至柵電極以及源電極和漏電極的柵極互連線和源極漏極互連線、電連接至源極漏極互連線的第一測試焊盤、以及可與第一測試焊盤位于相同水平高度處且可電連接至柵極互連線的第二測試焊盤。
所述源極漏極互連線可位于所述柵極互連線上。所述第一測試焊盤和所述第二測試焊盤可間隔地設置于所述襯底的不同側上。所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述源極漏極互連線可由相同材料形成并位于相同水平高度處。所述第二測試焊盤可經(jīng)由形成于絕緣層中的接觸孔連接至所述柵極互連線,所述絕緣層形成于所述柵電極與所述源電極和漏電極之間。
所述有機發(fā)光顯示裝置還可包括:第一電極,連接至所述源電極和所述漏電極其中之一;以及第二電極,面對所述第一電極,發(fā)光層位于所述第二電極與所述第一電極之間。所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述第一電極可由相同材料形成并位于相同水平高度處。
所述第一測試焊盤可經(jīng)由穿過鈍化膜的第一接觸孔連接至所述源極漏極互連線,所述鈍化膜位于所述源電極和漏電極與所述第一電極之間。所述第二測試焊盤可經(jīng)由第二接觸孔連接至所述柵極互連線,所述第二接觸孔穿過相繼沉積在所述柵電極與所述第一電極之間的所述鈍化膜和絕緣層。
實施方式還通過提供一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法來實現(xiàn),該方法包括:在襯底上形成柵電極和連接至柵電極的柵極互連線;在柵電極和柵極互連線上形成絕緣層;在絕緣層中形成接觸孔,以暴露柵極互連線的一部分;在絕緣層上形成源電極和漏電極以及連接至源電極和漏電極的源極漏極互連線;形成連接至源極漏極互連線的第一測試焊盤和位于相同水平高度處的經(jīng)由接觸孔連接至柵極互連線的第二測試焊盤。
所述第一測試焊盤和所述第二測試焊盤可間隔地設置在襯底的不同側上。所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述源極漏極互連線可由相同材料形成并位于相同水平高度處。
所述方法,還可包括:形成連接至所述源電極和所述漏電極其中之一的第一電極;以及形成面對所述第一電極的第二電極,發(fā)光層位于所述第一電極與所述第二電極之間。所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述第一電極可由相同材料形成并位于相同水平高度處。
所述方法還可包括在所述源電極和漏電極與所述第一電極之間形成鈍化膜。所述接觸孔可形成為穿過所述鈍化膜,所述第一測試焊盤可經(jīng)由穿過所述鈍化膜的第二接觸孔連接至所述源極漏極互連線,所述第二測試焊盤可經(jīng)由穿過所述鈍化膜和所述絕緣層的接觸孔連接至所述柵極互連線。
所述方法還可包括通過所述第一測試焊盤和所述第二測試焊盤分別向所述源極漏極互連線和所述柵極互連線施加電信號,以測量所述源極漏極互連線和所述柵極互連線的電阻,從而確定是否已出現(xiàn)短路。所述方法還可包括:如果在確定出現(xiàn)短路,則停止相應產品的后續(xù)制造過程。
附圖說明
對于本領域技術人員來說,通過參照附圖更加詳細地描述示例性實施方式,特征將變得顯而易見,在附圖中:
圖1示出根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖;
圖2示出圖1的有機發(fā)光顯示裝置中所包含的示例性像素的等效電路圖;
圖3示出圖1的有機發(fā)光顯示裝置中所包含的示例性TFT和示例性電容器區(qū)域的剖視圖;
圖4示出圖1的有機發(fā)光顯示裝置中所包含的示例性TFT和示例性EL裝置區(qū)域的剖視圖;以及
圖5示出根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置中所包含的示例性TFT和示例性電容器區(qū)域的剖視圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將在下文中參照附圖更加充分地描述示例性實施方式;然而,這些示例性實施方式可以表現(xiàn)為不同形式并且不應被解釋為受限于文中所述的實施方式。相反,這些實施方式被提供,使得對本領域技術人員來說,本公開將是徹底和完整的,并且將充分覆蓋本發(fā)明的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





