[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210154992.4 | 申請日: | 2012-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN102956667B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發明(設計)人: | 金廣海;崔宰凡;鄭寬旭;李俊雨 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志遠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
位于襯底上的柵電極、源電極、以及漏電極,所述柵電極位于與所述源電極和所述漏電極不同的層上;
柵極互連線,連接至所述柵電極;
源極漏極互連線,連接至所述源電極和所述漏電極;
第一測試焊盤,電連接至所述源極漏極互連線;以及
第二測試焊盤,電連接至所述柵極互連線,所述第二測試焊盤與所述第一測試焊盤位于相同水平高度處。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述源極漏極互連線位于所述柵極互連線上。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一測試焊盤和所述第二測試焊盤在所述襯底的不同側上間隔開。
4.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述源極漏極互連線由相同材料形成并位于相同水平高度處。
5.如權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中所述第二測試焊盤經由形成于絕緣層中的接觸孔連接至所述柵極互連線,所述絕緣層形成于所述柵電極與所述源電極和漏電極之間。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,還包括:
第一電極,連接至所述源電極和所述漏電極其中之一;以及
第二電極,面對所述第一電極,發光層位于所述第二電極與所述第一電極之間,所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述第一電極由相同材料形成并位于相同水平高度處。
7.如權利要求6所述的有機發光顯示裝置,其中:
所述第一測試焊盤經由穿過鈍化膜的第一接觸孔連接至所述源極漏極互連線,所述鈍化膜位于所述源電極和漏電極與所述第一電極之間,
所述第二測試焊盤經由第二接觸孔連接至所述柵極互連線,所述第二接觸孔穿過相繼沉積在所述柵電極與所述第一電極之間的所述鈍化膜和絕緣層。
8.一種制造有機發光顯示裝置的方法,包括:
在襯底上形成柵電極和連接至所述柵電極的柵極互連線;
在所述柵電極和所述柵極互連線上形成絕緣層;
在所述絕緣層中形成接觸孔,以暴露所述柵極互連線的一部分;
在所述絕緣層上形成源電極和漏電極以及連接至所述源電極和所述漏電極的源極漏極互連線;
形成連接至所述源極漏極互連線的第一測試焊盤和經由所述接觸孔連接至所述柵極互連線的第二測試焊盤,所述第二測試焊盤與所述第一測試焊盤位于相同水平高度處。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述第一測試焊盤和所述第二測試焊盤在所述襯底的不同側上間隔開。
10.如權利要求8所述的方法,其中所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述源極漏極互連線由相同材料形成并位于相同水平高度處。
11.如權利要求8所述的方法,還包括:
形成連接至所述源電極和所述漏電極其中之一的第一電極;以及
形成面對所述第一電極的第二電極,發光層位于所述第一電極與所述第二電極之間,所述第一測試焊盤、所述第二測試焊盤、以及所述第一電極由相同材料形成并位于相同水平高度處。
12.如權利要求11所述的方法,還包括在所述源電極和漏電極與所述第一電極之間形成鈍化膜,其中:
所述接觸孔形成為穿過所述鈍化膜,
所述第一測試焊盤經由穿過所述鈍化膜的第二接觸孔連接至所述源極漏極互連線,
所述第二測試焊盤經由穿過所述鈍化膜和所述絕緣層的接觸孔連接至所述柵極互連線。
13.如權利要求8所述的方法,還包括通過所述第一測試焊盤和所述第二測試焊盤分別向所述源極漏極互連線和所述柵極互連線施加電信號,以測量所述源極漏極互連線和所述柵極互連線的電阻,從而確定是否已出現短路。
14.如權利要求13所述的方法,還包括在確定所述源極漏極互連線和所述柵極互連線中的至少一個中已經出現短路之后,停止相應產品的后續制造過程。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





