[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列襯底和包括其的有機發(fā)光顯示器及其制造方法

有效

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• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN102931198B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 樸鍾賢;柳春基;樸鮮;李律圭;文相皓
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,姚志遠

相關申請的交叉引用

本申請要求于2011年8月9日在韓國知識產權局提交的第10-2011-0079147號韓國專利申請的權益，該申請公開的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

所描述的技術概括地涉及薄膜晶體管陣列襯底、包括該陣列襯底的有機發(fā)光顯示器以及制造該襯底的方法。

背景技術

例如有機發(fā)光顯示器或液晶顯示器（LCD）的平板顯示器包括薄膜晶體管（TFT）、電容器以及用于連接TFT和電容器的排線。

以精細圖案形成的TFT、電容器以及排線均設置在將要在其上制造平板顯示器的襯底上。利用掩模來轉移圖案的光刻工藝通常被用于在襯底上形成精細圖案。

根據光刻工藝，將光刻膠均勻地施加在將要在其上形成精細圖案的襯底上，利用曝光設備（例如步進式曝光機）使光刻膠曝光，并將已曝光的光刻膠顯影。在光刻膠已被顯影從而部分光刻膠被去除之后，蝕刻由剩余的光刻膠在襯底上形成的圖像，并且在圖案已形成之后去除不必要的光刻膠。

在利用掩模轉移圖案的工藝中，不得不制備包括必要圖案的掩模。因而，當利用掩模的工藝的數量增多時，制造成本增加。此外，平板顯示器的制造工藝因掩模工藝的復雜性而變得復雜，并且平板顯示器的制造時間增加，因而總體制造成本增大。

發(fā)明內容

一個發(fā)明性的方面是可容易地制造并具有高質量的信號傳輸的薄膜晶體管陣列襯底、包括該薄膜晶體管陣列襯底的有機發(fā)光顯示器以及制造該薄膜晶體管陣列襯底的方法。

另一方面是一種薄膜晶體管陣列襯底，其可包括：薄膜晶體管，設置在襯底上，其中所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、以及源電極和漏電極；電容器，包括設置在與所述有源層相同層上的下部電極以及設置在與所述柵電極相同層上的上部電極；像素電極，設置在與所述柵電極和所述上部電極相同的層上，其中所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的至少一個；第一絕緣層，設置在所述有源層與所述柵電極之間并且在所述下部電極與所述上部電極之間，其中所述第一絕緣層沒有設置在所述下部電極的周邊上；第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層與所述源電極和所述漏電極之間，其中所述第二絕緣層沒有設置在所述上部電極和所述下部電極的周邊上；以及第三絕緣層，覆蓋所述源電極和所述漏電極以及所述上部電極，并且暴露所述像素電極。

所述有源層和所述下部電極可包括摻雜有離子雜質的半導體材料。

所述柵電極可包括由透明傳導材料形成的第一層以及由金屬形成的第二層。

所述像素電極和所述上部電極可包括透明傳導材料。

所述透明傳導材料可包括選自由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In₂O₃）、氧化鎵銦（IGO）以及氧化鋅鋁（AZO）構成的組中的至少一種。

所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可包括相同的蝕刻表面。

在所述蝕刻表面與所述下部電極之間可形成間隙。

所述第三絕緣層可設置在所述間隙中。

所述第三絕緣層可直接接觸沒有設置所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的、所述下部電極的周邊。

所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可包括有機絕緣層。

所述第三絕緣層可以是有機絕緣層。

排線可設置在與所述下部電極相同的層上并且連接到所述下部電極，并且所述第一絕緣層可不形成在所述下部電極與所述排線彼此連接的連接部分上。

所述排線和所述連接部分可包括摻雜有離子雜質的半導體材料。

在插入所述上部電極與所述下部電極之間的所述第一絕緣層的所述蝕刻表面上可形成階梯形部分。

另一方面是一種有機發(fā)光顯示器，包括：薄膜晶體管，設置在襯底上，其中所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、以及源電極和漏電極；電容器，包括設置在與所述有源層相同層上的下部電極以及設置在與所述柵電極相同層上的上部電極；像素電極，設置在與所述柵電極和所述上部電極相同的層上，其中所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的至少一個；第一絕緣層，設置在所述有源層與所柵電極之間并且在所述下部電極與所述上部電極之間，所述第一絕緣層覆蓋沒有設置在所述下部電極的周邊上；第二絕緣層，在所述第一絕緣層與所述源電極和所述漏電極之間，所述第二絕緣層沒有設置在所述上部電極和所述下部電極的周邊上；第三絕緣層，覆蓋所述源電極和所述漏電極以及所述上部電極，并暴露所述像素電極；有機發(fā)射層，設置在所述像素電極上；以及相對電極，設置在所述有機發(fā)射層上。