[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列襯底和包括其的有機發(fā)光顯示器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210154435.2
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN102931198B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 樸鍾賢;柳春基;樸鮮;李律圭;文相皓
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,姚志遠

1.一種薄膜晶體管陣列襯底，包括：

薄膜晶體管，設置在襯底上，其中所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、以及源電極和漏電極；

電容器，包括i）設置在與所述有源層相同層上的下部電極以及ii）設置在與所述柵電極相同層上的上部電極；

像素電極，設置在與所述柵電極和所述上部電極相同的層上，其中所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的至少一個；

第一絕緣層，設置在所述有源層與所述柵電極之間并且在所述電容器的所述下部電極與所述上部電極之間，其中所述下部電極的至少一部分沒有被所述第一絕緣層覆蓋；

第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層與所述源電極和所述漏電極之間，其中所述上部電極和所述下部電極的至少一部分沒有被所述第二絕緣層覆蓋；以及

第三絕緣層，覆蓋所述源電極和所述漏電極以及所述上部電極，其中所述像素電極的至少一部分沒有被所述第三絕緣層覆蓋。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述有源層和所述下部電極中的每一個均由摻雜有離子雜質的半導體材料形成。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述柵電極包括i）由透明傳導材料形成的第一層以及ii）由金屬形成的第二層。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述像素電極和所述上部電極中的每一個均由透明傳導材料形成。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述透明傳導材料包括選自由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In₂O₃）、氧化鎵銦（IGO）以及氧化鋅鋁（AZO）構成的組中的至少一種。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括相同的蝕刻表面。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中在所述蝕刻表面與所述下部電極之間形成間隙。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述第三絕緣層設置在所述間隙中。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中在插入所述上部電極與所述下部電極之間的所述第一絕緣層的所述蝕刻表面上形成階梯形部分。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述第三絕緣層直接接觸沒有設置所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的、所述下部電極的周邊。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中的每一個均由有機絕緣材料形成。

12.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述第三絕緣層由有機絕緣材料形成。

13.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中排線設置在與所述下部電極相同的層上并且連接到所述下部電極，并且其中所述第一絕緣層沒有形成在所述下部電極與所述排線彼此連接的連接部分上。

14.如權利要求13所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中所述排線和所述連接部分中的每一個均由摻雜有離子雜質的半導體材料形成。

15.一種有機發(fā)光顯示器，包括：

薄膜晶體管，設置在襯底上，其中所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、以及源電極和漏電極；

電容器，包括i）設置在與所述有源層相同層上的下部電極以及ii）設置在與所述柵電極相同層上的上部電極；

像素電極，設置在與所述柵電極和所述上部電極相同的層上，其中所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的至少一個；

第一絕緣層，設置在所述有源層與所柵電極之間并且在所述下部電極與所述上部電極之間，其中所述下部電極的至少一部分沒有被所述第一絕緣層覆蓋；

第二絕緣層，在所述第一絕緣層與所述源電極和所述漏電極之間，其中所述上部電極和所述下部電極的至少一部分沒有被所述第二絕緣層覆蓋；

第三絕緣層，覆蓋所述源電極和所述漏電極以及所述上部電極，其中所述像素電極的至少一部分沒有被所述第三絕緣層覆蓋；

有機發(fā)射層，設置在所述像素電極上；以及

相對電極，設置在所述有機發(fā)射層上。