[發(fā)明專利]供體膜、用其制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法及用該方法制造的有機發(fā)光二極管顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210154092.X | 申請日: | 2012-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN103199200B | 公開(公告)日: | 2017-07-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋河珍;表相佑;俞炳旭;沈憓娟;金孝妍;權智英;李寬熙 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志遠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供體 制造 有機 發(fā)光二極管 顯示器 方法 | ||
1.一種供體膜,包括供體襯底以及形成于所述供體襯底上的轉移層,其中所述供體襯底包括:
基底膜;
光熱轉換層,設置在所述基底膜上;以及
彎曲層間膜,設置在所述光熱轉換層上并且具有褶皺側;
其中所述轉移層包括輔助層和有機發(fā)射層,所述有機發(fā)射層形成為沿所述彎曲層間膜的所述褶皺側的形狀彎曲,以及
其中所述有機發(fā)射層與所述輔助層之間的界面的曲線比所述彎曲層間膜與所述有機發(fā)射層之間的界面的曲線相對平緩。
2.如權利要求1所述的供體膜,其中所述轉移層還包括形成于所述有機發(fā)射層上的電荷產生層和有機中間層中的一個。
3.如權利要求2所述的供體膜,其中所述輔助層形成于所述電荷產生層和所述有機中間層中的所述一個與所述有機發(fā)射層之間。
4.如權利要求3所述的供體膜,其中所述電荷產生層和所述有機中間層中的所述一個與所述輔助層之間的界面的曲線比所述有機發(fā)射層與所述輔助層之間的界面的曲線相對平緩。
5.如權利要求1所述的供體膜,其中所述彎曲層間膜由丙烯酸樹脂、醇酸樹脂以及硅酮聚合物之一制成。
6.一種制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法,包括以下步驟:
在顯示襯底上形成第一電極;
提供包括供體襯底和轉移層的供體膜,所述供體襯底包括基底膜、設置在所述基底膜上的光熱轉換層以及設置在所述光熱轉換層上且具有褶皺側的彎曲層間膜,所述轉移層包括輔助層和有機發(fā)射層,所述有機發(fā)射層形成為沿所述彎曲層間膜的所述褶皺側的形狀彎曲,并且所述有機發(fā)射層與所述輔助層之間的界面的曲線比所述彎曲層間膜與所述有機發(fā)射層之間的界面的曲線相對更平緩;
將所述供體膜設置在所述顯示襯底上,以使得所述轉移層面對所述第一電極;
通過將激光束照射在所述供體膜上,將所述轉移層轉移到所述第一電極上;以及
將所述供體襯底與所述轉移層分離。
7.如權利要求6所述的方法,其中所述轉移層還包括形成于所述有機發(fā)射層上的電荷產生層和有機中間層中的一個。
8.如權利要求7所述的方法,其中所述輔助層設置在所述電荷產生層和所述有機中間層中的一個與所述有機發(fā)射層之間。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述電荷產生層和所述有機中間層中的一個與所述輔助層之間的界面的曲線比所述有機發(fā)射層與所述輔助層之間的界面的曲線相對更平緩。
10.如權利要求6所述的方法,還包括:在轉移所述轉移層之前,在所述第一電極上形成空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個的步驟。
11.如權利要求6所述的方法,其中所述彎曲層間膜由丙烯酸樹脂、醇酸樹脂以及硅酮聚合物之一制成。
12.如權利要求6所述的方法,還包括:在分離所述供體襯底之后,在所述有機發(fā)射層上形成第二電極的步驟。
13.如權利要求12所述的方法,還包括:在形成所述第二電極之前,在所述有機發(fā)射層上形成電子傳輸層和電子注入層中的至少一個的步驟。
14.如權利要求13所述的方法,其中所述電子傳輸層和所述電子注入層中的所述至少一個與所述第二電極之間的界面的曲線比所述電子傳輸層和所述電子注入層中的所述至少一個與所述有機發(fā)射層之間的界面的曲線相對更平緩。
15.一種有機發(fā)光二極管顯示器,包括:
顯示襯底;
第一電極,形成于所述顯示襯底上;
電荷產生層和有機中間層中的一個,形成于所述第一電極上;
輔助層,形成于所述電荷產生層和所述有機中間層中的所述一個上;
有機發(fā)射層,形成于所述輔助層上并且形成為褶皺的;以及
第二電極,形成于所述有機發(fā)射層上;
其中所述電荷產生層和所述有機中間層中的所述一個與所述輔助層之間的界面的曲線比所述有機發(fā)射層與所述輔助層之間的界面的曲線相對更平緩。
16.如權利要求15所述的有機發(fā)光二極管顯示器,還包括形成于所述有機發(fā)射層與所述第二電極之間的電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。
17.如權利要求16所述的有機發(fā)光二極管顯示器,其中所述電子傳輸層和所述電子注入層中的所述至少一個與所述第二電極之間的界面的曲線比所述電子傳輸層和所述電子注入層中的所述至少一個與所述有機發(fā)射層之間的界面的曲線相對更平緩。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





