[發明專利]LED芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201210153362.5
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN103426978A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明設計一種LED芯片制造方法。

背景技術

LED（Light-emitting?diode,?發光二極管）產業是近幾年最受矚目的產業之一，發展至今，LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點，因此被認為是新世代綠色節能照明的最佳光源。采取倒截頂錐形狀的外形，可提高LED芯片的出光角度，進而增加出光量。目前制成倒截頂錐形狀外形的LED芯片一般在生成方形LED芯片之后通過蝕刻的方法（例如濕式蝕刻法等蝕刻方法）將LED芯片的四周腐蝕成倒截頂錐形狀。然而，濕式蝕刻法蝕刻的角度只能限定為晶格方向，所以LED芯片的側面只會形成特定角度的斜面。因此，現有的濕式蝕刻法無法根據具體需求設計LED芯片側面的傾斜角度。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種可制作出不同傾斜角度的側面的LED芯片制造方法。

一種LED芯片制造方法，該制造方法包括步驟：提供基底；在基底上形成緩沖層以及第一半導體層；于該第一半導體層上形成光阻以及圍繞該光阻的阻擋層，該阻擋層朝向該光阻的內側面與該第一半導體層所夾設的內角呈角度θ；移除該光阻，該阻擋層圍設成磊晶區域；于該磊晶區域內生成發光結構，該發光結構包括發光層與第二半導體層；去除該阻擋層，外露出該發光結構的外側面以及未被該發光結構遮擋的部分該第一半導體層；及于該外露的第一半導體層與該發光結構的第二半導體層上分別形成二電極。

上述步驟制造完成的LED芯片由于其發光結構的側面為一斜面，故可有效提高LED芯片的出光量以及出光角度。并且該發光結構的側面的傾斜角度不受晶格的影響，故可在制程中調整，因此可以根據不同需求制造出具有不同傾斜角度的斜面的發光結構。

附圖說明

圖1是本發明LED芯片制造方法的第一步驟。

圖2是本發明LED芯片制造方法的第二步驟。

圖3是本發明LED芯片制造方法的第三步驟。

圖4是本發明LED芯片制造方法的第四步驟。

圖5是本發明LED芯片制造方法的第五步驟。

圖6是本發明LED芯片制造方法的第六步驟。

圖7是本發明LED芯片制造方法的第七步驟。

主要元件符號說明