[發明專利]LED芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201210153362.5
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN103426978A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED芯片制造方法，該制造方法包括步驟：

提供基底；

在基底上形成緩沖層以及第一半導體層；

于該第一半導體層上形成光阻以及圍繞該光阻的阻擋層，該阻擋層朝向該光阻的內側面與該第一半導體層所夾設的內角呈角度θ；

移除該光阻，該阻擋層圍設成磊晶區域；

于該磊晶區域內生成發光結構，該發光結構包括發光層與第二半導體層；

去除該阻擋層，外露出該發光結構的外側面以及未被該發光結構遮擋的部分該第一半導體層；及

于該外露的第一半導體層與該發光結構的第二半導體層上分別形成二電極。

2.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該光阻通過黃光制程涂布，該阻擋層通過氣相沉積法沉積法形成。

3.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該光阻的剖面呈一上底長于下底的梯形。

4.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：θ的取值范圍為大于0度并小于90度。

5.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該第二半導體層上還包括導電層，其中一電極設置于該第二半導體層上。

6.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該阻擋層由二氧化硅材料制成，該阻擋層通過氫氟酸蝕刻去除。

7.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該第一半導體層為N型層，該第二半導體層位P型層。

8.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該發光結構還包括另一第一半導體層。

9.如權利要求8所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該兩第一半導體層由相同材質制成。

10.如權利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：該發光結構通過金屬有機化合物化學氣相沉淀生成。