[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210153007.8
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN102709327A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 成軍;劉曉娣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛軍

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

有機發光顯示器件是新一代的顯示器件，與液晶顯示器相比，具有很多優點，如：自發光、響應速度快、寬視角等，可以用于柔性顯示、透明顯示、3D顯示等。

有源矩陣發光顯示器為每一個像素配備了用于控制該像素的開關—薄膜晶體管，因此通過驅動電路，可以獨立控制每一個像素，同時不會對其他像素造成串擾等影響。薄膜晶體管至少由柵極、源極、漏極、柵絕緣層和活化層組成。

目前活化層主要由硅組成，也可以由非晶硅或多晶硅組成。采用非晶硅制成的活化層的薄膜晶體管，因其特性的限制（如遷移率、開態電流等），難以用于需要較大電流和快速響應的場合，如有機發光顯示器和大尺寸、高分辨率、高刷新頻率的顯示器等。采用多晶硅制成的活化層的薄膜晶體管，其特性優于采用非晶硅制成的活化層的薄膜晶體管，可以用于有機發光顯示器，但是因為均勻性不佳，因此制備中大尺寸的面板仍有困難。可采用增加補償電路的方法處理多晶硅特性不均勻的問題，但同時增加了像素中的薄膜晶體管和電容的數量，增加了掩膜數量和制作難度，造成產量減低和良率下降。另外，如果采用諸如ELA（準分子激光退火技術）等LTPS（低溫多晶硅）技術來對非晶硅進行晶化，還將需要增加昂貴的設備和維護費用。

因此，氧化物半導體日益受到重視。氧化物半導體為活化層的薄膜晶體管的特性優于非晶硅，如遷移率、開態電流、開關特性等。雖然特性不如多晶硅，但足以用于需要快速響應和較大電流的應用，如高頻、高分比率、大尺寸的顯示器以及有機發光顯示器等。氧化物的均勻性較好，與多晶硅相比，由于沒有均勻性問題，不需要增加補償電路，在掩膜數量和制作難度上均有優勢。在制作大尺寸的顯示器方面也沒有難度。而且采用濺射等方法就可以制備，不需增加額外的設備，具有成本優勢。

在現有的一種氧化物薄膜晶體管的制作方法中，源電極和漏電極設置于活化層之上，為了形成源電極和漏電極，需采用刻蝕阻擋層來確保在對源漏金屬層刻蝕時活化層不被刻蝕，這種工藝的缺點是刻蝕阻擋層中的H+離子會擴散到活化層中從而影響晶體管性能，而且還或多或少地會出現活化層被刻蝕的現象。

圖1是現有的一種氧化物薄膜晶體管的典型結構圖，該氧化物薄膜晶體管包括基板100、柵電極101、柵極絕緣層102、活化層103、刻蝕阻擋層104、漏電極105-1和源電極105-2。在現有氧化物薄膜晶體管的制作過程中，漏電極105-1、源電極105-2用濕法刻蝕來圖案化，由于刻蝕液對漏電極105-1和源電極105-2下面的活化層103也具有刻蝕作用，因此采用一刻蝕阻擋層104來確保在對源漏金屬層刻蝕時活化層103不被刻蝕，這種工藝的缺點是刻蝕阻擋層中的H+離子會擴散到活化層103中從而影響晶體管性能，而且還或多或少地會出現活化層被刻蝕的現象。

在現有的另一種氧化物薄膜晶體管的制作方法中，活化層設置于源電極和漏電極之上，為了形成活化層，需采用刻蝕阻擋層來確保在對活化層刻蝕而形成活化層時源電極和漏電極不被刻蝕，這種工藝的缺點是刻蝕阻擋層中的H+離子會擴散到源電極和漏電極中從而影響晶體管性能，而且還或多或少地會出現源電極和漏電極被刻蝕的現象。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置，以避免刻蝕阻擋層對活化層，或者漏電極和源電極造成的危害。

為了達到上述目的，本發明提供了一種氧化物薄膜晶體管，包括基板、源電極、漏電極、活化層和鈍化層；

所述源電極、所述漏電極、所述活化層和所述鈍化層設置于所述基板上；

所述源電極和所述漏電極之間的區域是溝道區域；

所述鈍化層至少在所述溝道區域與所述活化層直接接觸。

實施時，所述源電極和所述漏電極分別設置于所述活化層上；

所述鈍化層設置于設有所述源電極和所述漏電極的基板。

實施時，所述活化層設置于設有所述源電極和所述漏電極的基板上；所述鈍化層設置于設有所述活化層的基板上。

本發明還提供了一種陣列基板，包括上述任一所述的氧化物薄膜晶體管。

本發明還提供了一種顯示裝置，包括上述所述的陣列基板。

本發明還提供了一種氧化物薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：在形成活化層和鈍化層之間，至少在源電極與漏電極和活化層接觸的區域外設置光刻膠；之后剝離該光刻膠。