[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210153007.8
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN102709327A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 成軍;劉曉娣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛軍

1.一種氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括基板、源電極、漏電極、活化層和鈍化層；

所述源電極、所述漏電極、所述活化層和所述鈍化層設置于所述基板上；

所述源電極和所述漏電極之間的區域是溝道區域；

所述鈍化層至少在所述溝道區域與所述活化層直接接觸。

2.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，

所述源電極和所述漏電極分別設置于所述活化層上；

所述鈍化層設置于設有所述源電極和所述漏電極的基板。

3.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，

所述活化層設置于設有所述源電極和所述漏電極的基板上；

所述鈍化層設置于設有所述活化層的基板上。

4.一種氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在形成活化層和鈍化層之間，至少在源電極與漏電極和活化層接觸的區域外設置光刻膠；之后剝離該光刻膠。

5.如權利要求4所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在活化層上除了要分別形成漏電極和源電極的區域之外設置光刻膠；在所述活化層和所述光刻膠上沉積源漏金屬層，通過剝離而去除所述光刻膠以及該光刻膠之上的源漏金屬層，從而在所述活化層上分別形成漏電極和源電極。

6.如權利要求5所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述光刻膠上的源漏金屬層和與所述活化層接觸的源漏金屬層之間存在一高度差。

7.如權利要求5或6所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在設置有光刻膠的基板上沉積源漏金屬層步驟包括：在設置有光刻膠的基板上采用常溫濺射或常溫蒸鍍沉積源漏金屬層。

8.如權利要求4所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在形成有漏電極和源電極的基板上，除了所述漏電極上和所述源電極上要與活化層連接的區域及要形成溝道的區域，設置光刻膠；

在設置有光刻膠的基板上沉積活化層，并通過剝離而去除所述光刻膠以及該光刻膠之上的活化層，從而在設有所述源電極和所述漏電極的基板上設置活化層。

9.如權利要求8所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述光刻膠上的活化層和與所述漏電極和所述源電極上的活化層之間存在一高度差。

10.如權利要求8或9所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

在設置有光刻膠的基板上沉積活化層步驟包括：在設置有光刻膠的基板上采用常溫濺射或常溫蒸鍍而沉積活化層。

11.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1至3中任一權利要求所述的氧化物薄膜晶體管。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求11所述的陣列基板。