[發(fā)明專利]一種高壓NLDMOS靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210152866.5
• 申請(qǐng)日: 2012-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN103426878A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇慶;苗彬彬;王邦磷;鄧樟鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種高壓NLDMOS靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，在硅襯底上排列成多指狀，其特征在于，包括：，硅襯底上部形成有交替排列的高壓N阱和高壓P阱，器件左右最外側(cè)的高壓N阱中形成有相間排布的N型注入?yún)^(qū)和P型注入?yún)^(qū)，器件中間的高壓N阱中形成有N型注入?yún)^(qū)，高壓P阱中形成有相間排布N型注入?yún)^(qū)和P型注入?yún)^(qū)，多晶硅柵形成于高壓N阱和高壓P阱相接處的上方；

所有高壓P阱中的N型注入?yún)^(qū)和P型注入?yún)^(qū)相連接地，左右最外側(cè)的高壓N阱中的P型注入?yún)^(qū)與該高壓N阱中一N型注入?yún)^(qū)相連接靜電輸入端，所有器件中間高壓N阱中的N型注入?yún)^(qū)接靜電輸入端，所有多晶硅柵接信號(hào)端。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓NLMOS靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：最外側(cè)高壓N阱中的N型注入?yún)^(qū)能完全包圍住P型注入?yún)^(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓NLMOS靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述高壓P阱中的N型注入?yún)^(qū)能完全包圍住P型注入?yún)^(qū)。

4.如權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的高壓NLMOS靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)為N+注入?yún)^(qū)，所述P型注入?yún)^(qū)為P+注入?yún)^(qū)。