[發(fā)明專利]一種界面電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210151835.8
• 申請(qǐng)日: 2012-05-06
• 公開（公告）號(hào): CN103383968A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朱江
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種界面電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

漂移層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；

界面電荷補(bǔ)償區(qū)，為具有電荷陷阱的絕緣介質(zhì)構(gòu)成，位于漂移層中，臨靠漂移層表面，與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列；

肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于漂移層上表面，為半導(dǎo)體材料與金屬形成的勢(shì)壘結(jié)。

2.一種界面電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

漂移層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；

界面電荷補(bǔ)償區(qū)，為具有電荷陷阱的絕緣介質(zhì)構(gòu)成，位于漂移層中，與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列；

第二絕緣材料區(qū)，為絕緣材料構(gòu)成，位于界面電荷補(bǔ)償區(qū)上表面，臨靠漂移層表面；

肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于漂移層上表面，為半導(dǎo)體材料與金屬形成的勢(shì)壘結(jié)。

3.如權(quán)利要求1和2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的界面電荷補(bǔ)償區(qū)絕緣介質(zhì)為摻氧多晶硅或者三氧化二鋁。

4.如權(quán)利要求1和2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的界面電荷補(bǔ)償區(qū)界面電荷密度大于等于10E12/cm²。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的界面電荷補(bǔ)償區(qū)與肖特基勢(shì)壘結(jié)相連。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二絕緣材料區(qū)絕緣材料為二氧化硅或氮化硅。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二絕緣材料區(qū)可以為溝槽結(jié)構(gòu)，溝槽內(nèi)填充多晶硅，并且多晶硅表面與肖特基勢(shì)壘結(jié)通過(guò)上表面金屬相連。

8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二絕緣材料區(qū)絕緣材料界面電荷密度小于10E12/cm²。

9.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二絕緣材料區(qū)絕緣材料可以位于半導(dǎo)體裝置表面。

10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢(shì)壘結(jié)與界面電荷補(bǔ)償區(qū)不直接相連。

11.如權(quán)利要求1所述的一種界面電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣材料；

2)進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣材料，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；

3)在溝槽內(nèi)形成具有電荷陷阱的絕緣介質(zhì)，然后進(jìn)行反刻蝕；

4)腐蝕去除表面絕緣材料，淀積勢(shì)壘金屬，燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。

12.如權(quán)利要求2所述的一種界面電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣材料；

2)進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣材料，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；

3)在溝槽內(nèi)形成具有電荷陷阱的絕緣介質(zhì)，然后進(jìn)行反刻蝕；

4)在溝槽內(nèi)形成絕緣材料，反刻蝕絕緣材料；

5)腐蝕去除表面絕緣材料，淀積勢(shì)壘金屬，燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。