[發明專利]光電元件與其制造方法

有效

• 申請號: 201210150962.6
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN102931318B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 韓政男;李宗憲;謝明勛;陳宏萱;劉欣茂;陳星兆;陶青山;倪志鵬;陳澤澎;吳仁釗;佐野雅文;王志銘
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/58
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一光電元件包含：光電單元，包含第一上表面；第一下表面，與該第一上表面相對；以及最外側面，位于該第一上表面與該第一下表面之間；

第一透明結構，覆蓋該最外側面與曝露該第一上表面；

第一絕緣層，位于該第一上表面與該第一透明結構之上且未覆蓋該最外側面并具有一段弧形的剖面；

第二絕緣層，位于該第一絕緣層之上；

第一開口，通過該第一絕緣層與該第二絕緣層；

第一金屬層，介于該第一上表面和該第一絕緣層之間，且具有一大于該第一開口的寬度；以及

第一導電層，位于該第二絕緣層之上，通過該第一開口與該光電單元電連接且向外延伸超出該最外側面。

2.如權利要求1所述的光電元件，其中該第一絕緣層的熱膨脹系數小于該第一透明結構的熱膨脹系數。

3.如權利要求1所述的光電元件，還包含一反射層，位于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間，其中該第一絕緣層的熱膨脹系數介于該第一透明結構與該反射層的熱膨脹系數之間。

4.如權利要求3所述的光電元件，其中該第一絕緣層電絕緣該第一金屬層與該反射層，該反射層與部分第一金屬層重疊。

5.如權利要求1所述的光電元件，其中該第一絕緣層的熱膨脹系數是3ppm/℃至200ppm/℃。

6.如權利要求1所述的光電元件，還包含第二透明結構，位于該第一透明結構之下，其中該第二透明結構的折射系數大于該第一透明結構的折射系數。

7.如權利要求6所述的光電元件，其中該第二透明結構由剖面視之的形狀選擇自由三角形、半圓形、四分之一圓形、五角形與四邊形所構成的群組，及/或該第二透明結構與該光電單元由剖面視之的寬度比例是1.5至3。

8.如權利要求7所述的光電元件，其中該四邊形包含倒梯形。

9.如權利要求1所述的光電元件，其中該第一導電層包含多個附屬層。

10.如權利要求1所述的光電元件，其中該第一導電層由上視圖視之包含一斜角。

11.如權利要求1所述的光電元件，還包含第二導電層，位于該第二絕緣層之上且與該第一導電層分隔，其中該第一導電層與該第二導電層之間的距離不小于100微米，及/或該第一導電層與該第二導電層的上表面面積相對于該第一透明結構的下表面面積的比例大于50％。

12.如權利要求1所述的光電元件，還包含：

第一波長轉換層，位于該光電單元之下與該第一透明結構之中；以及

第二波長轉換層，位于該第一波長轉換層之下與該第一透明結構之中；

其中該第一波長轉換層被激發后所發的光具有第一波長，該第二波長轉換層被激發后所發的光具有第二波長，該第一波長大于該第二波長。

13.如權利要求12所述的光電元件，其中該第一波長轉換層及/或該第二波長轉換層的材料是半導體材料，其中該半導體材料包含一種以上的元素選自由鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構成的群組。

14.如權利要求12所述的光電元件，其中該第一波長轉換層或該第二波長轉換層的材料是熒光粉，其中該熒光粉選自由YAG、硅酸鹽、釩酸鹽、堿土金屬硅酸鹽、堿土金屬硫化物、堿土金屬硒化物、堿土金屬鎵硫化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、鎢鉬酸鹽族混合物、氧化物混合物、玻璃熒光粉混合物與上述材料的組合所構成的群組。