[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

無效

• 申請號: 201210148691.0
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN103422056A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;H05B33/10;H05B33/28
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及半導體光電材料，特別是涉及導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基底、其制備方法及有機電致發光器件。?

背景技術

導電薄膜電極是有機電致發光器件(OLED)的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，摻鋁的氧化鋅(AZO)是近年來研究最廣泛的透明導電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發光效率，要求透明導電薄膜陽極具有較高的表面功函數。而鋁摻雜的氧化鋅的功函數一般只有4.3eV，經過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4.5～5.1eV，與一般的有機發光層的HOMO能級(典型的為5.7～6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙發光效率的提高。?

發明內容

基于此，有必要針對導電薄膜功函數較低的問題，提供一種功函數較高的導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基底、其制備方法及有機電致發光器件。?

一種導電薄膜，包括層疊的AZO層，金層及ReO₃層，其中AZO為摻鋁的氧化鋅。?

一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：?

將AZO靶材、金和ReO₃及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，AZO為摻鋁的氧化鋅靶材；?

在所述襯底表面濺鍍AZO層，濺鍍所述AZO層的工藝參數為：基靶間距為35mm～90mm，濺射功率為60W～160W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述AZO層表面濺鍍金層，濺鍍所述金層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述金層表面濺鍍ReO₃層，濺鍍所述金層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；及?

剝離所述襯底，得到所述導電薄膜。?

在其中一個實施例中，AZO層的厚度為50nm～150nm，所述金層的厚度為5nm～35nm，所述ReO₃層的厚度為0.5nm～5nm。?

在其中一個實施例中，所述AZO靶材由以下步驟得到：將ZnO和Al₂O₃粉體混合均勻，其中Al₂O₃的質量百分數為0.1％～3％，余量為ZnO，將混合均勻的粉體在900℃～1350℃下燒結制成靶材。?

在其中一個實施例中，所述AZO層的厚度為80nm，所述金層的厚度為25nm，所述ReO₃層的厚度為2nm。?

一種有機電致發光器件的基底，包括依次層疊的襯底、AZO層，金層及ReO₃層，其中，所述AZO為摻鋁的氧化鋅。?

一種有機電致發光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：?

將AZO靶材、金和ReO₃及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，AZO為摻鋁的氧化鋅靶材；?

在所述襯底表面濺鍍AZO層，濺鍍所述AZO層的工藝參數為：基靶間距為35mm～90mm，濺射功率為60W～160W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述AZO層表面濺鍍金層，濺鍍所述金層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述金層表面濺鍍ReO₃層，濺鍍所述金層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃。?