[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

無效

• 申請號: 201210148094.8
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN103422053A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;H05B33/26;H05B33/10
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種導電薄膜，其特征在于，包括層疊的GZO層，銅層及MoO₃層，其中GZO為摻雜鎵的氧化鋅。

2.一種導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將GZO靶材、銅和MoO₃及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，GZO為摻雜鎵的氧化鋅靶材；

在所述襯底表面濺鍍GZO層，濺鍍所述GZO層的工藝參數為：基靶間距為35mm～90mm，濺射功率為60W～160W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；

在所述GZO層表面濺鍍銅層，濺鍍所述銅層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～100W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；

在所述銅層表面濺鍍MoO₃層，濺鍍所述銅層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為70W～120W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；及

剝離所述襯底，得到所述導電薄膜。

3.根據權利要求2所述的導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述GZO層的厚度為20nm～120nm，所述銅層的厚度為3nm～20nm，所述MoO₃層的厚度為1nm～10nm。

4.根據權利要求2所述的導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述GZO靶材由以下步驟得到：將Ga₂O₃和ZnO粉體混合均勻，其中Ga₂O₃的質量百分數為1％～5％，余量為ZnO，將混合均勻的粉體在900℃～1350℃下燒結制成靶材。

5.根據權利要求2所述的導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述GZO層的厚度為50nm，所述銅層的厚度為10nm，所述MoO₃層的厚度為3nm。

6.一種有機電致發光器件的基底，其特征在于，包括依次層疊的襯底、GZO層，銅層及MoO₃層，其中，所述GZO為摻雜鎵的氧化鋅。

7.一種有機電致發光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將GZO靶材、銅和MoO₃及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，GZO為摻雜鎵的氧化鋅靶材；

在所述襯底表面濺鍍GZO層，濺鍍所述GZO層的工藝參數為：基靶間距為35mm～90mm，濺射功率為60W～160W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；

在所述GZO層表面濺鍍銅層，濺鍍所述銅層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～100W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；

在所述銅層表面濺鍍MoO₃層，濺鍍所述銅層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為70W～120W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃。

8.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述GZO靶材由以下步驟得到：將Ga₂O₃和ZnO粉體混合均勻，其中Ga₂O₃的質量百分數為1％～5％，余量為ZnO，將混合均勻的粉體在900℃～1350℃下燒結制成靶材。

9.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述GZO層的厚度為20nm～120nm，所述銅層的厚度為3nm～20nm，所述MoO₃層的厚度為1nm～10nm。

10.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、發光層以及陰極，其特征在于，所述陽極包括層疊的GZO層，銅層及MoO₃層，其中GZO為摻雜鎵的氧化鋅。