[發(fā)明專利]導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210148094.8
• 申請(qǐng)日: 2012-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN103422053A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;陳吉星;張振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/35;H05B33/26;H05B33/10
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。?

背景技術(shù)

導(dǎo)電薄膜電極是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)器件的發(fā)光效率。其中，摻雜鎵的氧化鋅(GZO)是近年來研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。要在保持透明度和導(dǎo)電性的前提下，提高薄膜的表面功函數(shù)，則需要比較復(fù)雜的工序，而且效果不是很明顯，穩(wěn)定性不高。?

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問題，提供一種功函數(shù)較高的導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。?

一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的GZO層，銅層及MoO₃層，其中GZO為摻雜鎵的氧化鋅。?

一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟：?

將GZO靶材、銅和MoO₃及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，GZO為摻雜鎵的氧化鋅靶材；?

在所述襯底表面濺鍍GZO層，濺鍍所述GZO層的工藝參數(shù)為：基靶間距為35mm～90mm，濺射功率為60W～160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述GZO層表面濺鍍銅層，濺鍍所述銅層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述銅層表面濺鍍MoO₃層，濺鍍所述銅層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為70W～120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；及?

剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。?

在其中一個(gè)實(shí)施例中，GZO層的厚度為20nm～120nm，所述銅層的厚度為3nm～20nm，所述MoO₃層的厚度為1nm～10nm。?

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述GZO靶材由以下步驟得到：將Ga₂O₃和ZnO粉體混合均勻，其中Ga₂O₃的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1％～5％，余量為ZnO，將混合均勻的粉體在900℃～1350℃下燒結(jié)制成靶材。?

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述GZO層的厚度為50nm，所述銅層的厚度為10nm，所述MoO₃層的厚度為3nm。?

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、GZO層，銅層及MoO₃層，其中，所述GZO為摻雜鎵的氧化鋅。?

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：?

將GZO靶材、銅和MoO₃及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，GZO為摻雜鎵的氧化鋅靶材；?

在所述襯底表面濺鍍GZO層，濺鍍所述GZO層的工藝參數(shù)為：基靶間距為35mm～90mm，濺射功率為60W～160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述GZO層表面濺鍍銅層，濺鍍所述銅層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為30W～100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃；?

在所述銅層表面濺鍍MoO₃層，濺鍍所述銅層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，濺射功率為70W～120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃。?