[發明專利]光器件晶片的分割方法

有效

• 申請號: 201210147803.0
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN102779786A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 上野寬海;星野仁志
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術領域

本發明涉及在藍寶石等晶體生長用襯底上通過外延生長來形成具有多個光器件的發光層的光器件晶片的分割方法。

背景技術

在激光二極管（LD）或發光二極管（LED）等光器件的制造工藝中，制造如下所述的光器件晶片：在由藍寶石或SiC等構成的晶體生長用襯底的上面，例如通過外延生長來形成具有多個光器件的發光層（外延層）。

LD、LED等光器件形成在通過以格子狀形成的分割預定線劃分的各區域上，通過沿著分割預定線分割光器件晶片來實現個片化，從而制造各個光器件。

以往，作為沿著分割預定線分割光器件晶片的方法，公知有如下所述的方法：沿著分割預定線照射對晶片具有吸收性的波長的脈沖激光束來形成激光加工槽，通過對該激光加工槽施加外力來割斷光器件晶片（例如，參照日本特開平10-305420號公報）。

另外，還公開有如下所述的方法：將對光器件晶片具有透過性的波長的脈沖激光束，將其聚光點對準到晶片內部來照射，從而在內部形成沿著分割預定線的改質層，通過在該改質層中在強度下降的分割預定線上施加外力來分割光器件晶片（例如，參照日本特開2005-86161號公報）。

另一方面，在日本特開平10-125956號公報及日本特開平10-308532號公報中公開有為了提高光器件的亮度，在光器件芯片的背面側形成了反射膜的光器件芯片。

【專利文獻1】日本特開2005-86161號公報

【專利文獻2】日本特開平10-125956號公報

【專利文獻3】日本特開平10-308532號公報

當在將激光束的聚光點定位在光器件晶片的內部的狀態下從光器件晶片的表面側照射激光束時，存在如下所述的問題。即、被定位在光器件晶片的內部的激光束的聚光點越接近光器件晶片的背面側，光器件晶片的表面中的激光束的射束點越大。

因此，為了防止通過激光束的照射而損壞光器件，分割預定線需要充分的寬度，每個光器件晶片的光器件芯片的安裝數量減少，生產性惡化。

在光器件晶片中，也存在以提高光器件芯片的亮度為目的在與晶體生長用襯底的外延層之間的界面側上形成有微細的凹凸的光器件晶片，在這樣的光器件晶片中不能從表面側照射激光束。

另一方面，在從光器件晶片的背面側照射激光束時，在背面側形成有反射膜的光器件晶片中存在如下所述的問題：根據反射膜的種類和激光束的波長，照射在光器件晶片的背面的激光束會被反射，不能實施激光加工。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供如下所述的光器件晶片的分割方法，能夠從背面側照射激光束而將在背面側具有反射膜的光器件晶片分割為各個光器件芯片。

根據本發明，提供光器件晶片的分割方法，該光器件晶片在通過設定在表面上的多個交叉的分割預定線而劃分的各區域上分別形成有光器件，并在里面形成有反射膜，該光器件晶片的分割方法的特征在于包括：激光束照射步驟，將激光束的聚光點定位在光器件晶片的內部，并從光器件晶片的里面側沿著該分割預定線照射激光束，在光器件晶片的內部形成改質層；以及分割步驟，在實施該激光束照射步驟之后，在光器件晶片上施加外力而沿著該分割預定線分割光器件晶片來形成多個光器件芯片，在該激光束照射步驟中照射在光器件晶片上的激光束的波長相對于該反射膜的透過率為80％以上。

優選的是，在激光束照射步驟中照射在光器件晶片上的激光束的波長在680nm~1mm的范圍內。優選的是，反射膜由層疊折射率不同的材料而成的多層膜構成。

本申請的發明人通過專心的研究，發現通過從光器件晶片的里面照射對于激光束的反射膜的反射率小于20％、即對于反射膜的激光束的透過率為80％以上的波長的激光束，從而能夠在光器件晶片的內部形成改質層。

基于該發現，根據本發明，從在里面具有反射膜的光器件晶片的里背面側照射激光束而在內部形成改質層，能夠將改質層作為分割起點而將光器件晶片分割為光器件芯片，能夠解決不能從里面側實施激光加工、或生產性惡化等以往的問題點。

附圖說明

圖1是適合實施本發明的分割方法的激光加工裝置的立體圖。

圖2是光束照射單元的框圖。

圖3是光器件晶片的表面側立體圖。

圖4是在里面具有反射膜的光器件晶片的剖視圖。

圖5是示出激光束照射步驟的立體圖。

圖6是說明激光束照射步驟的剖視圖。

圖7是說明激光束照射步驟的其他實施方式的剖視圖。

圖8是示出第1實施方式的分割步驟的剖視圖。