[發明專利]光器件晶片的分割方法有效
| 申請號： | 201210147803.0 | 申請日： | 2012-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN102779786A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發明（設計）人： | 上野寬海;星野仁志 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 器件 晶片 分割 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光器件晶片的分割方法，該光器件晶片在由設定在表面上的多個交叉的分割預定線劃分的各區域分別形成有光器件，并在里面形成有反射膜，
該光器件晶片的分割方法的特征在于包括：
激光束照射步驟，將激光束的聚光點定位在光器件晶片的內部，并從光器件晶片的里面側沿著該分割預定線照射激光束，在光器件晶片的內部形成改質層；以及
分割步驟，在實施該激光束照射步驟之后，在光器件晶片上施加外力而沿著該分割預定線分割光器件晶片來形成多個光器件芯片，
在該激光束照射步驟中，照射在光器件晶片上的激光束的波長相對于該反射膜的透過率為80％以上。
2.根據權利要求1所述的光器件晶片的分割方法，其中，
在該激光束照射步驟中，照射在光器件晶片上的激光束的波長為680nm~1mm。
3.根據權利要求1或2所述的光器件晶片的分割方法，其中，
所述反射膜由層疊折射率不同的材料而成的多層膜構成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
