[發(fā)明專利]測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210147751.7
• 申請(qǐng)日: 2012-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN102707214A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新潮;馮東明;葉新民;樂海波;孫巖;陳曉倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江陰新順微電子有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭;曾丹

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法，屬于分立器件芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

分立器件三極管芯片正向與飽和壓降一根直以來都沒有一個(gè)有效的方式進(jìn)行準(zhǔn)確監(jiān)控。隨著市場對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的要求越來越高，對(duì)影響產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)正向與飽和壓降進(jìn)行精確監(jiān)控就越發(fā)顯得重要。

參見圖1和圖2，傳統(tǒng)的測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法是在三極管芯片1正面的基區(qū)（B）2扎一根基區(qū)輸入電流探針21與一根基區(qū)反饋電壓探針22，所述基區(qū)輸入電流探針21與基區(qū)反饋電壓探針22分別連接測(cè)試儀的基區(qū)輸入電流線23和基區(qū)反饋電壓線24；在三極管芯片1正面的發(fā)射區(qū)（E）3扎一根發(fā)射區(qū)輸入電流探針31與一根發(fā)射區(qū)反饋電壓探針32，所述發(fā)射區(qū)輸入電流探針31與發(fā)射區(qū)反饋電壓探針32分別連接測(cè)試儀的發(fā)射區(qū)輸入電流線33和發(fā)射區(qū)反饋電壓線34；在三極管芯片1下面的金屬承片臺(tái)盤4上連接測(cè)試儀的集電極輸入電流線41和集電極反饋電壓線52，打開測(cè)試儀對(duì)分立器件三極管芯片正向與飽和壓降進(jìn)行測(cè)試。

傳統(tǒng)的三極管芯片正面的基區(qū)（B）與發(fā)射區(qū)（E）的輸入電流線與反饋電壓線分開，但是三極管芯片背面的集電極的輸入電流線與反饋電壓線都是從三極管芯片下方的金屬承片臺(tái)盤上引出的，輸入電流線與反饋電壓線無法分開，從而使得分立器件三極管芯片無法實(shí)現(xiàn)全方位開爾文測(cè)試，芯片背面金屬層與金屬承片臺(tái)的接觸電阻，影響分立器件三極管芯片的正向與飽和壓降的精確測(cè)試。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種能將三極管芯片背面集電極的輸入電流線與反饋電壓線分開，使得三極管芯片能實(shí)現(xiàn)全方位開爾文測(cè)試，有效的規(guī)避芯片背面金屬層與金屬承片臺(tái)盤接觸電阻所帶來的負(fù)面影響，保證分立器件三極管芯片的正向與飽和壓降能夠得到精準(zhǔn)測(cè)試的方法。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法，所述方法是在三極管芯片正面的基區(qū)扎一根基區(qū)輸入電流探針與一根基區(qū)反饋電壓探針，所述基區(qū)輸入電流探針與基區(qū)反饋電壓探針分別連接測(cè)試儀的基區(qū)輸入電流線和基區(qū)反饋電壓線；在三極管芯片正面的發(fā)射區(qū)扎一根發(fā)射區(qū)輸入電流探針與一根發(fā)射區(qū)反饋電壓探針，所述發(fā)射區(qū)輸入電流探針與發(fā)射區(qū)反饋電壓探針分別連接測(cè)試儀的發(fā)射區(qū)輸入電流線和發(fā)射區(qū)反饋電壓線；在三極管芯片下面的金屬承片臺(tái)盤上連接測(cè)試儀的集電極輸入電流線，在三極管芯片外圍的劃片槽扎一根集電極反饋電壓探針，所述集電極反饋電壓探針連接測(cè)試儀的集電極反饋電壓線，打開測(cè)試儀對(duì)分立器件三極管芯片正向與飽和壓降進(jìn)行測(cè)試。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

劃片槽與三極管芯片背面的金屬層相通，本發(fā)明就是利用這一點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，通過在芯片正面劃片槽扎反饋電壓探針將集電極反饋電壓線從承片臺(tái)移置芯片正面，集電極輸入電流線依然連接金屬承片臺(tái)盤與三極管芯片背面的金屬層相連，使三極管芯片背面集電極的輸入電流線與反饋電壓線也能分開，從而使得分立器件三極管芯片可以實(shí)現(xiàn)全方位開爾文測(cè)試，有效的規(guī)避芯片背面金屬層與金屬承片臺(tái)盤接觸電阻所帶來的負(fù)面影響，保證分立器件三極管芯片的正向與飽和壓降的精確測(cè)試。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法的芯片測(cè)試狀態(tài)俯視圖。

圖2為傳統(tǒng)測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法的芯片測(cè)試狀態(tài)正視圖。

圖3為本發(fā)明測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法的芯片測(cè)試狀態(tài)俯視圖。

圖4為本發(fā)明測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法的芯片測(cè)試狀態(tài)正視圖。

其中：

三極管芯片1

基區(qū)2

基區(qū)輸入電流探針21

基區(qū)反饋電壓探針22

基區(qū)輸入電流線23

基區(qū)反饋電壓線24

發(fā)射區(qū)3

發(fā)射區(qū)輸入電流探針31

發(fā)射區(qū)反饋電壓探針32

發(fā)射區(qū)輸入電流線33

發(fā)射區(qū)反饋電壓線34

金屬承片臺(tái)盤4

集電極輸入電流線41

劃片槽5

集電極反饋電壓探針51

集電極反饋電壓線52。

具體實(shí)施方式

參見圖3和圖4，一種測(cè)試分立器件三極管芯片正向與飽和壓降的方法，所述方法是在三極管芯片1正面的基區(qū)（B）2扎一根基區(qū)輸入電流探針21與一根基區(qū)反饋電壓探針22，所述基區(qū)輸入電流探針21與基區(qū)反饋電壓探針22分別連接測(cè)試儀的基區(qū)輸入電流線23和基區(qū)反饋電壓線24；在三極管芯片1正面的發(fā)射區(qū)（E）3扎一根發(fā)射區(qū)輸入電流探針31與一根發(fā)射區(qū)反饋電壓探針32，所述發(fā)射區(qū)輸入電流探針31與發(fā)射區(qū)反饋電壓探針32分別連接測(cè)試儀的發(fā)射區(qū)輸入電流線33和發(fā)射區(qū)反饋電壓線34；在三極管芯片1下面的金屬承片臺(tái)盤4上連接測(cè)試儀的集電極輸入電流線41，在三極管芯片1外圍的劃片槽5扎一根集電極反饋電壓探針51，所述集電極反饋電壓探針51連接測(cè)試儀的集電極反饋電壓線52，打開測(cè)試儀對(duì)分立器件三極管芯片正向與飽和壓降進(jìn)行測(cè)試。