[發(fā)明專利]等離子體監(jiān)測系統(tǒng)

無效

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• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN102788916A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 李淳鐘;禹奉周;鄭載勛;金學權;姜志澔
• 申請（專利權）人: 塞米西斯科株式會社
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01N21/73;H01J37/32;H01L21/311
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發(fā)明涉及一種等離子體監(jiān)測系統(tǒng)，尤其涉及一種檢測蝕刻工序的結束點和腔室內(nèi)產(chǎn)生的電弧的檢測系統(tǒng)。

背景技術

半導體制造工序中，一般在腔室內(nèi)部形成等離子體氣氛之后，進行蝕刻、沉積等多種工序。

在腔室內(nèi)進行某些工序的期間，按照各個工序的要求，所述腔室內(nèi)的環(huán)境會發(fā)生變化。這此過程中，由于該變化，電弧有可能產(chǎn)生在腔室內(nèi)。該電弧會對所述腔室內(nèi)制造的圓晶片等或所述腔室部件造成損傷。

因此需要可以迅速準確地檢測出所述腔室內(nèi)產(chǎn)生的電弧的系統(tǒng)，但現(xiàn)在還沒有可以檢測現(xiàn)有腔室內(nèi)產(chǎn)生的電弧的方法或裝置。

發(fā)明內(nèi)容

技術問題

本發(fā)明的目的在于提供一種可迅速、準確地檢測出腔室內(nèi)產(chǎn)生的電弧的等離子體監(jiān)測系統(tǒng)。

技術方案

為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明一實施例的電弧檢測系統(tǒng)包括：觀察口，其與腔室直接結合；可視光轉換部，其與所述觀察口結合，將所述腔室內(nèi)因電弧引起而產(chǎn)生的電弧光，的紫外線或紅外線轉換成可視光線；光纖，其與所述觀察口連接，已轉換的所述可視光線由所述光纖通過；以及電弧傳感器，其與所述光纖連接，對通過所述光纖傳輸?shù)目梢暪饩€進行檢測。

根據(jù)本發(fā)明另一實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)包括：光譜儀，其與腔室連接；電弧傳感器，其與腔室連接；以及檢測和控制模塊，其與所述光譜儀和所述電弧傳感器連接。其中，所述檢測和控制模塊分析從所述光譜儀傳輸?shù)腛ES數(shù)據(jù)而檢測出結束點，分析從所述電弧傳感器傳輸?shù)碾娀「兄Y果而檢測出所述腔室內(nèi)產(chǎn)生的電弧

根據(jù)本發(fā)明又一實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)包括：至少一個集光部，其與腔室結合；電弧傳感器；光纖，其連接所述集光部和所述電弧傳感器。其中，所述集光部聚集所述腔室內(nèi)因電弧引起而產(chǎn)生的電弧光，聚集的所述電弧光通過所述光纖傳輸?shù)剿鲭娀鞲衅鳎鲭娀鞲衅鞲兄獋鬏數(shù)乃龉庖噪娦盘栞敵觥?/p>

根據(jù)本發(fā)明又一實施例的電弧檢測系統(tǒng)包括：光纖，其與腔室結合；以及電弧傳感器，其與所述光纖連接。其中，從所述腔室內(nèi)因電弧引起而產(chǎn)生的電弧光通過所述光纖傳輸?shù)剿鲭娀鞲衅鳎鲭娀鞲衅鲃t感知所述傳輸?shù)墓舛噪娦盘栞敵觥?/p>

有益效果

根據(jù)本發(fā)明的等離子體監(jiān)測系統(tǒng)，可以利用光譜儀、電弧傳感器以及檢測和控制模塊，迅速檢測出蝕刻工序等的結束點以及腔室內(nèi)產(chǎn)生的電弧。

另外，通過將與電弧傳感器連接的光纖結合至腔室的觀察口，不需對腔室施加特別變形，也可以實現(xiàn)傳感器與腔室的連接。

另外，等離子體監(jiān)測系統(tǒng)不但檢測出蝕刻工序等結束點，也可以檢測出電弧而準確檢測出等離子體工序的工序狀態(tài)以及異常狀況。

另外，等離子體監(jiān)測系統(tǒng)還可以選擇性地感知可視光線、紫外線、紅外線，因此根據(jù)環(huán)境可以利用多種方法檢測出電弧。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明一實施例的檢測和控制模塊結構的簡要方框圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖7為根據(jù)本發(fā)明一實施例顯示圖6的觀察口連接結構的示意圖。

具體實施方式

下面參見附圖，對本發(fā)明實施例進行詳細說明。

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的結束點和電弧檢測系統(tǒng)的示意圖。

本實施例的等離子體監(jiān)測系統(tǒng)屬于一種結束點(End?Point)以及電弧(Arc)檢測系統(tǒng)，用于判斷蝕刻室、CVD室等多種腔室100內(nèi)等離子體工序的工序狀態(tài)以及異常狀況，以下簡稱結束點和電弧檢測系統(tǒng)。

等離子體通過等離子體供應通道102注入至腔室100內(nèi)，例如，在圓晶片106置于支撐部件104的狀態(tài)下，利用所述等離子體進行蝕刻、沉積等工序。

進行這些工序的過程中，所述腔室100內(nèi)的環(huán)境會發(fā)生變化。由于該變化，電弧有可能產(chǎn)生在腔室內(nèi)。當然，其它因素也會造成產(chǎn)生電弧現(xiàn)象。腔室100內(nèi)產(chǎn)生的電弧對產(chǎn)品(如，圓晶片等)或者腔室部件造成損傷，由此顯示出對這些電弧迅速準確進行檢測的重要性。