[發(fā)明專利]閃存裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210147687.2
• 申請(qǐng)日: 2012-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN102915763A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊青松;景文澔;古惟銘;陳永祥;王世辰;陳信銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/02
• 分類號(hào): G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種閃存裝置，且特別是有關(guān)于一種具有電壓提升電路的閃存裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)今的存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器與非易失性存儲(chǔ)器，其中易失性存儲(chǔ)器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM,Dynamic?Random?Access?Memory)，其優(yōu)點(diǎn)為操作存取速度快，然而只有在電源啟動(dòng)的情況下，易失性存儲(chǔ)器才能存取數(shù)據(jù)。另一方面，非易失性存儲(chǔ)器，例如閃存(flash?memory)，其操作存取速度雖然較易失性存儲(chǔ)器慢，但是即使在斷電的情形下，其內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù)據(jù)可以保留很長(zhǎng)的時(shí)間。

一般閃存在操作方面，在寫入或抹除的操作時(shí)，需要特定電壓值將電荷注入或引出浮柵(floating?gate)。所以，通常會(huì)有一個(gè)升壓電路(charge-pump?circuit)，或是電壓產(chǎn)生電路，來提供電壓以進(jìn)行操作。因此，閃存的電壓產(chǎn)生電路在閃存操作上扮演了一個(gè)重要的角色。

發(fā)明內(nèi)容

據(jù)此，本發(fā)明提供一種閃存裝置，并且更進(jìn)一步提供一種具有低輸入電壓及低耗能的特性的閃存裝置。

本發(fā)明提出一種閃存裝置，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元及多個(gè)寫入控制電壓產(chǎn)生器。其中各存儲(chǔ)單元通過控制端點(diǎn)接收寫入控制電壓，并依據(jù)寫入控制電壓以執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入的操作。并且多個(gè)寫入控制電壓產(chǎn)生器，分別耦接該些存儲(chǔ)單元。其中各寫入控制電壓產(chǎn)生器包括預(yù)充電壓傳送器及升壓電容。預(yù)充電壓傳送器耦接至各存儲(chǔ)單元的控制端點(diǎn)，這些預(yù)充電壓傳送器并依據(jù)預(yù)充驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第一時(shí)間周期提供預(yù)充電壓至對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的控制端點(diǎn)。此外，升壓電容耦接在各存儲(chǔ)單元的控制端點(diǎn)及推升電壓間，推升電壓在第二時(shí)間周期被提供至升壓電容，并在這些存儲(chǔ)單元的控制端點(diǎn)上產(chǎn)生寫入控制電壓。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的閃存裝置還包括多個(gè)抹除控制電壓產(chǎn)生器。多個(gè)抹除控制電壓產(chǎn)生器分別耦接多個(gè)存儲(chǔ)單元。其中各抹除控制電壓產(chǎn)生器包括抹除預(yù)充電壓傳送器及抹除升壓電容。抹除預(yù)充電壓傳送器耦接至各存儲(chǔ)單元的抹除端點(diǎn)，這些抹除預(yù)充電壓傳送器并依據(jù)抹除預(yù)充驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第三時(shí)間周期傳送抹除預(yù)充電壓至對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的抹除端點(diǎn)。抹除升壓電容耦接在各存儲(chǔ)單元的抹除端點(diǎn)及抹除推升電壓間，抹除推升電壓在第四時(shí)間周期被提供至抹除升壓電容，產(chǎn)生應(yīng)用于抹除的抹除控制電壓。

基于上述，本發(fā)明提出一種閃存裝置，閃存裝置通過預(yù)充電壓傳送器傳送外部電壓至存儲(chǔ)單元的控制或抹除端點(diǎn)，并將存儲(chǔ)單元的控制或抹除端點(diǎn)所接收的預(yù)充電壓提升至可供閃存裝置操作的寫入或抹除控制電壓。裝置外部所需要提供的電壓將被降低，也因此減低裝置外部提供的預(yù)充電壓的耗能。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A繪示本發(fā)明一實(shí)施例的閃存裝置100的示意圖。

圖1B繪示本發(fā)明一實(shí)施例的寫入控制電壓產(chǎn)生器110的示意圖。

圖2A繪示本發(fā)明一實(shí)施例的預(yù)充電壓傳送器111的示意圖。

圖2B繪示本發(fā)一明實(shí)施例的預(yù)充電壓傳送器111的操作波形圖。

圖2C、圖3A與圖3B分別繪示本發(fā)明一實(shí)施例的預(yù)充電壓傳送器111的不同實(shí)施方式的示意圖。

圖4繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的閃存裝置400的示意圖。

圖5A繪示本發(fā)明再一實(shí)施例的閃存裝置500的部分電路示意圖。

圖5B～圖5E分別繪示本發(fā)明實(shí)施例的抹除預(yù)充電壓傳送器531的不同實(shí)施方式的示意圖。

圖6繪示本發(fā)明一實(shí)施例的閃存裝置600的示意圖。

[主要元件標(biāo)號(hào)說明]

100、400、500、600：閃存裝置

110、410、510：寫入控制電壓產(chǎn)生器

111：預(yù)充電壓傳送器????????120、420、520、620：存儲(chǔ)單元

113、115、117：預(yù)充寫入開關(guān)

201、203、205、207、211、217：曲線

530、630：抹除控制電壓產(chǎn)生器

531：抹除預(yù)充電壓傳送器????533、535、537：抹除預(yù)充開關(guān)

CL：控制端點(diǎn)???????????????EL：抹除端點(diǎn)

Cp、Cf、Cpe、Cfe：電容?????Vpu：推升電壓

PREN、PREN1、PREN2、PRENE、PRENE1、PRENE2：驅(qū)動(dòng)信號(hào)