[發明專利]閃存裝置

有效

• 申請號: 201210147687.2
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN102915763A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 楊青松;景文澔;古惟銘;陳永祥;王世辰;陳信銘
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種閃存裝置，包括：

多個存儲單元，其中各該存儲單元通過控制端點接收寫入控制電壓，并依據該寫入控制電壓執行數據寫入的操作；以及

多個寫入控制電壓產生器，分別耦接該多個存儲單元，其中各該寫入控制電壓產生器包括：

預充電壓傳送器，耦接至各該存儲單元的控制端點，該些預充電壓傳送器依據預充驅動信號在第一時間周期時，提供預充電壓至對應的存儲單元的控制端點；以及

升壓電容，耦接在各該存儲單元的控制端點及推升電壓間，該推升電壓在第二時間周期被提供至該升壓電容，并在該多個存儲單元的控制端點上產生該寫入控制電壓。

2.根據權利要求1所述的閃存裝置，其中該預充電壓傳送器包括：

預充寫入開關，耦接在該預充電壓以及對應的該存儲單元的控制端點間，該預充寫入開關并且于該第一時間周期依據該預充驅動信號以導通，以將該預充電壓傳送至該控制端點。

3.根據權利要求2所述的閃存裝置，其中該預充寫入開關包括：

第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第一晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的控制端點及該預充電壓，并且該第一晶體管的控制端接收該預充驅動信號。

4.根據權利要求3所述的閃存裝置，其中該預充寫入開關還包括：

第二晶體管，耦接在該第一晶體管耦接對應的該存儲單元的控制端點的路徑間，該第二晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第二晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的控制端點，該第二晶體管的第二端耦接至該第一晶體管的第一端，并且該第二晶體管的控制端接收一控制信號。

5.根據權利要求1所述的閃存裝置，其中該預充電壓傳送器包括：

第一預充寫入開關，耦接在第一預充電壓以及對應的該存儲單元的控制端點間；以及

第二預充寫入開關，耦接在第二預充電壓以及對應的該存儲單元的控制端點間，

其中，該第一預充寫入開關以及該第二預充寫入開關分別受控于第一預充驅動信號以及第二預充驅動信號，該第一預充寫入開關傳送該第一預充電壓至對應的該存儲單元的控制端點，或是該第二預充寫入開關傳送該第二預充電壓至該對應的存儲單元的控制端點。

6.根據權利要求5所述的閃存裝置，其中該第一預充寫入開關包括：

第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第一晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的控制端點及該第一預充電壓，并且該第一晶體管的控制端接收該第一預充驅動信號；以及

該第二預充寫入開關包括：

第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其中該第二晶體管的第一端及第二端分別耦接至對應的該存儲單元的控制端點及該第二預充電壓，并且該第二晶體管的控制端接收該第二預充驅動信號。

7.根據權利要求6所述的閃存裝置，其中該第一預充寫入開關還包括：

第三晶體管，耦接在該第一晶體管耦接對應的該存儲單元的控制端點的路徑間，該第三晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第三晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的控制端點，該第三晶體管的第二端耦接至該第一晶體管的第一端，并且該第三晶體管的控制端接收第一控制信號；以及

該第二預充寫入開關還包括：

第四晶體管，耦接在該第二晶體管耦接對應的該存儲單元的控制端點的路徑間，該第四晶體管具有第一端、第二端以及控制端，其中該第四晶體管的第一端耦接至對應的該存儲單元的控制端點，該第四晶體管的第二端耦接至該第二晶體管的第一端，該第四晶體管的控制端接收第二控制信號。

8.根據權利要求7所述的閃存裝置，其中該第二晶體管及該第四晶體管為P型晶體管，該第一晶體管及該第三晶體管為N型晶體管。

9.根據權利要求1所述的閃存裝置，其中各該存儲單元包括：

浮動柵極晶體管。

10.根據權利要求9所述的閃存裝置，其中該浮動柵極晶體管的制造通過：

單一多晶硅互補金屬氧化物半導體晶體管制程。

11.根據權利要求1所述的閃存裝置，其中各該存儲單元包括：

介電質儲存晶體管。