[發(fā)明專利]發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置及其測(cè)試方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210147116.9
• 申請(qǐng)日: 2012-05-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103424677A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾國(guó)峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置，用于測(cè)試一個(gè)發(fā)光二極管晶粒是否滿足預(yù)定的光電特性，該發(fā)光二極管晶粒用于在滿足該預(yù)定的光電特性后被封裝成發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置包括：

一個(gè)輸出電源用于輸出電源至該發(fā)光二極管晶粒，以使該發(fā)光二極管晶粒發(fā)光；

一個(gè)光譜分析儀用于測(cè)量該發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光的波長(zhǎng)；

及

一個(gè)處理器，其包括

一個(gè)控制單元，用于控制該輸出電源依據(jù)設(shè)定的電功率值向該發(fā)光二極管晶粒輸入電源并控制該光譜分析儀測(cè)量該發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光的波長(zhǎng)；

一個(gè)存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元內(nèi)存儲(chǔ)有該發(fā)光二極管晶粒對(duì)應(yīng)不同的輸入電功率所應(yīng)發(fā)出的光的波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)范圍值；

一個(gè)用戶接口用于接收用戶輸入以確定的該輸出電源的電源輸出功率及該光譜分析儀測(cè)量到的該光電轉(zhuǎn)換芯片發(fā)出的光的波長(zhǎng)；及

一個(gè)分析單元，用于分析該發(fā)光二極管晶粒在該輸出電源輸出的一電功率時(shí)，該發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光的波長(zhǎng)是否落入在該電功率下該發(fā)光二極管晶粒所應(yīng)發(fā)出的光的波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)范圍值內(nèi)，以供判斷該發(fā)光二極管晶粒的光電特性是否滿足預(yù)定的光電特性。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置，其特征在于，該測(cè)試裝置還包括一個(gè)用于承載該發(fā)光二極管晶粒的卡盤。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置還包括一個(gè)光纖，該光纖的一端與該光譜分析儀相連，另一端置于該發(fā)光二極管晶粒上方，用于將該發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的發(fā)光傳遞至該光譜分析儀。

4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置，其特征在于，該懸架還包括一個(gè)轉(zhuǎn)盤、一個(gè)懸臂及一個(gè)相機(jī)模塊；該懸臂固定于該轉(zhuǎn)盤上；該相機(jī)模塊設(shè)置在該懸臂上；該轉(zhuǎn)盤用于通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)調(diào)整該相機(jī)模塊的位置至該相機(jī)模塊與該發(fā)光二極管晶粒正對(duì)，該相機(jī)模塊用于拍攝該發(fā)光二極管晶粒的圖像以根據(jù)該圖像分析該發(fā)光二極管晶粒是否存在外觀不良。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置，其特征在于，該輸出電源包括一個(gè)電流/電壓顯示器及與該電流/電壓顯示器連接的兩個(gè)連接針，該兩個(gè)連接針?lè)謩e連接至發(fā)光二極管晶粒的正負(fù)兩極，該兩個(gè)連接針用于將該輸出電源輸出的電源輸出該發(fā)光二極管晶粒，以使該發(fā)光二極管晶粒發(fā)光，該電流/電壓顯示器顯示對(duì)應(yīng)該電功率時(shí)，該輸出電源輸出的電流值與電壓值。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒測(cè)試裝置，其特征在于，該用戶接口還用于接收用戶輸入以設(shè)定該電功率值。

7.一種發(fā)光二極管晶粒測(cè)試方法，用于測(cè)試一個(gè)發(fā)光二極管晶粒是否滿足預(yù)定的光電特性，該發(fā)光二極管晶粒用于在滿足該預(yù)定的光電特性后被封裝成發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管晶粒測(cè)試測(cè)試方法包括以下步驟：

承載該發(fā)光二極管晶粒；

設(shè)定輸出電源功率值；

根據(jù)該輸出電源功率值向該發(fā)光二極管晶粒提供輸入電源以使發(fā)光二極管晶粒發(fā)光；

測(cè)量該發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光的波長(zhǎng)；

根據(jù)該輸出電源功率值、測(cè)量到的該發(fā)光二極管晶粒的發(fā)出的光的波長(zhǎng)判斷該發(fā)光二極管晶粒的光電特性是否滿足該預(yù)定的光電特性，從而判斷該發(fā)光二極管晶粒是否合格。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶粒方法，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒測(cè)試方法還包括步驟：

拍攝該發(fā)光二極管晶粒的圖像；及

根據(jù)該圖像分析該發(fā)光二極管晶粒是否存在外觀不良，若該發(fā)光二極管晶粒是存在外觀不良，則不封裝該發(fā)光二極管晶粒。