[發明專利]一種新型雙面導電膜制作工藝

無效

• 申請號: 201210147043.3
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN102664076A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 郝懷慶;蔡榮軍;于甄;呂敬波
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種新型雙面導電膜制作工藝，該膜的結構為該雙面導電膜的中間層為柔性透明薄膜（1），自柔性透明薄膜（1）的上表面依次向上有加硬層（2）、粘結層（3）、高折射率介質層（4）、低折射率介質層（5）、氧化銦錫透明導電層（6）；自柔性透明薄膜（1）的下表面依次向下有加硬層（2）、粘結層（3）、高折射率介質層（4）、低折射率介質層（5）、氧化銦錫透明導電層（6），其制作工藝的特征如下：

柔性透明薄膜（1），為聚對苯二甲酸乙二醇酯，柔性透明薄膜（1）是一種折射率為1.4-1.5的柔性材料；

加硬層（2）是對柔性透明薄膜（1）的表面硬化處理層，是以涂布的方式在柔性透明薄膜（1）的上下兩個表面完成加硬層（2）的制作；

粘結層（3）以磁控濺射的方式濺射到加硬層（2）表面的，鍍制粘結層的主要目的是使加硬層（2）和高折射率介質層（4）更牢固的貼合在一起；

高折射率介質層（4），一種折射率介于1.8-2.5之間的高折射率材料；

低折射率介質層（5），一種折射率介于1.4-1.8的低折射率材料；

氧化銦錫透明導電層（6）是通過磁控濺射的方法將銦錫氧化物從靶材表面轟擊出濺射到低折射率介質層（5）上，氧化銦錫陶瓷靶材中In₂O₃和SnO₂按照一定的重量份配比摻雜在一起，配比關系在99/1-90/10之間。

2.根據權利要求1所述的新型雙面導電膜制作工藝，其特征在于：粘結層（3）的材料為Si₃N₄、SiO、SiO₂中的一種。

3.根據權利要求1所述的新型雙面導電膜制作工藝，其特征在于：高折射率介質層（4）的高折射率材料優選為Nb₂O₅。

4.根據權利要求1所述的新型雙面導電膜制作工藝，其特征在于：低折射率介質層（5）的低折射率材料優選為SiO₂。

5.根據權利要求1所述的新型雙面導電膜制作工藝，其特征在于：氧化銦錫陶瓷靶材中In₂O₃和SnO₂的重量份配比優選為97/3、95/5、90/10三種的一種。