[發明專利]制造主動陣列基板的方法與主動陣列基板

有效

• 申請號: 201210146770.8
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102956550A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 唐文忠;舒芳安;蔡耀州;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明是有關于一種主動陣列基板與制造主動陣列基板的方法。

背景技術

諸如液晶顯示器的平面顯示裝置已廣泛地應用在各種電子產品中。平面顯示裝置通常包含有主動陣列基板，用以驅動平面顯示裝置中的像素。通常，主動陣列基板的制造方法必須使用五道的微影蝕刻制程。每一道微影蝕刻制程都必須耗費生產成本。近年來，為了更具經濟效益地制造主動陣列基板，業界開發出四道微影蝕刻步驟的制造方法，以更有效率地制造主動陣列基板。不過，為了更進一步提高生產效率及降低制造成本，有必要開發更具競爭力及更具經濟效益的制造方法。

發明內容

本發明的一目的是提供一種制造主動陣列基板的方法與主動陣列基板，以能僅使用三道微影蝕刻制程制造主動陣列基板，且所制造的主動陣列基板具有良好的可靠度。因此，根據本發明所揭露的實施方式具有極高的經濟效益以及產品性能。

根據本發明一實施方式，上述方法包括以下步驟。形成一第一圖案化金屬層于一基材上。然后，依序地形成一半導體層、一絕緣層以及一第二金屬層覆蓋第一圖案化金屬層。接著，形成一圖案化光阻層于第二金屬層上。圖案化光阻層包含一第一區域以及一第二區域，且第一區域的圖案化光阻層的厚度小于第二區域的圖案化光阻層的厚度。然后，圖案化第二金屬層及其下方的絕緣層和半導體層，以形成一第二圖案化金屬層、一圖案化絕緣層以及一圖案化半導體層，并移除第一區域的圖案化光阻層。之后，加熱第二區域的圖案化光阻層，使其流動而形成一保護層覆蓋圖案化第二金屬層的一側壁、圖案化絕緣層的一側壁以及圖案化半導體層的一側壁。第一圖案化金屬層的一部分以及第二圖案化金屬層的一部分未被保護層覆蓋。形成上述保護層之后，形成一像素電極于基材上，且像素電極連接第一圖案化金屬層的露出部分。

在一實施例中，形成第一圖案化金屬層包含形成一漏極、一源極、一數據線以及一數據線連接墊。第二圖案化金屬層包含一柵極以及一柵線連接墊。

在一實施例中，第二圖案化金屬層、圖案化絕緣層以及圖案化半導體層具有大致相同的一輪廓。

根據本發明另一實施方式，制造主動陣列基板的方法包括下述步驟。形成一第一圖案化金屬層于一基材上。第一圖案化金屬層包含一漏極、一源極以及一數據線連接墊。然后，依序地形成一半導體層、一絕緣層以及一第二金屬層覆蓋基材上的漏極、源極以及數據線連接墊。接著，形成一圖案化光阻層于第二金屬層上。圖案化光阻層包含一第一部分、一第二部分以及一第三部分。第一部分具有一開口露出第二金屬層的一部分以及一圍繞部環繞此開口。第二部分具有一內側部以及一周邊部圍繞內側部，內側部的厚度小于周邊部的厚度。隨后，圖案化第二金屬層及其下方的絕緣層和半導體層，以于第一部分下方形成一圍壁圍繞數據線連接墊，于第二部分下方形成一柵線連接墊，并于第三部分下方形成一柵極、一柵絕緣層以及一連接漏極和源極的通道層，并移除第二部分的內側部，而露出柵線連接墊的一部分。之后，加熱剩余的圖案化光阻層，使其流動而形成一保護層覆蓋柵極、柵絕緣層、通道層、圍壁以及柵線連接墊的一外緣。漏極的一部分位于保護層之外。形成上述保護層之后，形成一像素電極于基材與保護層上，且像素電極電性連接漏極的露出部分。

在一實施例中，形成第一圖案化金屬層的步驟包含形成一數據線，且圖案化第二金屬層的步驟包含形成一柵線。

在一實施例中，圖案化光阻層還包含一第四部分，位于數據線以及柵線上方。

在一實施例中，圖案化第二金屬層及其下方的絕緣層和半導體層的步驟包含使數據線連接墊的一部分暴露出。

在一實施例中，圖案化第二金屬層及其下方的絕緣層和半導體層的步驟包含依序以一干蝕刻制程蝕刻第二金屬層以及以一濕蝕刻制程蝕刻絕緣層和半導體層。

在一實施例中，加熱剩余的圖案化光阻層的步驟包含將剩余的圖案化光阻層置于溫度為約200℃至約400℃的環境中。

本發明的另一方面是提供一種主動陣列基板。此主動陣列基板包含一基材、一源極以及一漏極、一通道層、一絕緣層、一柵極、一保護層以及一像素電極。源極以及一漏極位于基材上。通道層配置于源極和漏極上。絕緣層配置于通道層上。柵極配置于絕緣層上，其中通道層、絕緣層以及柵極具有大致相同的一圖案。保護層覆蓋通道層、絕緣層、柵極、源極以及漏極的一部分。像素電極位于基材與保護層上，且像素電極電性連接漏極。