[發明專利]制造主動陣列基板的方法與主動陣列基板

有效

• 申請號: 201210146770.8
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102956550A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 唐文忠;舒芳安;蔡耀州;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造主動陣列基板的方法，其特征在于，包含：

形成一第一圖案化金屬層于一基材上；

依序地形成一半導體層、一絕緣層以及一第二金屬層覆蓋該第一圖案化金屬層；

形成一圖案化光阻層于該第二金屬層上；

圖案化該第二金屬層及其下方的該絕緣層和該半導體層，以形成一第二圖案化金屬層、一圖案化絕緣層以及一圖案化半導體層，并移除一部分的該圖案化光阻層；

加熱另一部分的該圖案化光阻層，使其流動而形成一保護層覆蓋該第二圖案化金屬層的一側壁、該圖案化絕緣層的一側壁、該圖案化半導體層的一側壁以及該第一圖案化金屬層的一部分；以及

形成一像素電極于該基材與該保護層上，且該像素電極電性連接該第一圖案化金屬層的另一部分。

2.根據權利要求1所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，形成該第一圖案化金屬層包含形成一漏極以及一源極，且形成該第二圖案化金屬層包含形成一柵極。

3.根據權利要求1所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，該第二圖案化金屬層、該圖案化絕緣層以及該圖案化半導體層具有相同的一輪廓。

4.一種制造主動陣列基板的方法，其特征在于，包含：

形成一第一圖案化金屬層于一基材上，該第一圖案化金屬層包含一漏極、一源極以及一數據線連接墊；

依序地形成一半導體層、一絕緣層以及一第二金屬層覆蓋該基材上的該漏極、該源極以及該數據線連接墊；

形成一圖案化光阻層于該第二金屬層上，該圖案化光阻層包含一第一部分、一第二部分以及一第三部分，該第一部分具有一開口露出該第二金屬層的一部分以及一圍繞部環繞該開口，該第二部分具有一內側部以及一周邊部圍繞該內側部，該內側部的一厚度小于該周邊部的一厚度；

圖案化該第二金屬層及其下方的該絕緣層和該半導體層，以于該第一部分下方形成一圍壁圍繞該數據線連接墊，以及于該第二部分下方形成一柵線連接墊，并于該第三部分下方形成一柵極、一柵絕緣層以及一連接該漏極和該源極的通道層，并移除該第二部分的該內側部，而露出該柵線連接墊的一部分；

加熱剩余的該圖案化光阻層，使其流動而形成一保護層覆蓋該柵極、該柵絕緣層、該通道層、該圍壁以及該柵線連接墊的一外緣，其中該漏極的一部分位于該保護層之外；以及

形成一像素電極于該基材與該保護層上，且該像素電極電性連接該漏極的該部分。

5.根據權利要求4所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，形成該第一圖案化金屬層的步驟包含形成一數據線，且圖案化該第二金屬層的步驟包含形成一柵線。

6.根據權利要求5所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，該圖案化光阻層還包含一第四部分位于該數據線以及該柵線上方。

7.根據權利要求4所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，圖案化該第二金屬層及其下方的該絕緣層和該半導體層的步驟包含使該數據線連接墊的一部分暴露出。

8.根據權利要求4所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，圖案化該第二金屬層及其下方的該絕緣層和該半導體層的步驟包含依序以一干蝕刻制程蝕刻該第二金屬層以及以一濕蝕刻制程蝕刻該絕緣層和該半導體層。

9.根據權利要求4所述的制造主動陣列基板的方法，其特征在于，加熱該剩余的圖案化光阻層的步驟包含將該剩余的圖案化光阻層置于溫度為200℃至400℃的環境中。

10.一種主動陣列基板，其特征在于，包含：

一基材；

一源極以及一漏極，位于該基材上；

一通道層，配置于該源極和該漏極上；

一絕緣層，配置于該通道層上；

一柵極，配置于該絕緣層上，其中該通道層、該絕緣層以及該柵極具有相同的一圖案；

一保護層，覆蓋該通道層、該絕緣層、該柵極、該源極以及該漏極的一部分；以及

一像素電極，位于該基材與該保護層上，且該像素電極電性連接該漏極。