[發(fā)明專利]啟動(dòng)電路和包括啟動(dòng)電路的帶隙基準(zhǔn)源電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210146682.8
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN103389762A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘少輝;胡勝發(fā)
• 申請（專利權(quán)）人: 安凱（廣州）微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種用于帶隙基準(zhǔn)源電路的啟動(dòng)電路，所述帶隙基準(zhǔn)源電路包括由運(yùn)算放大器和兩個(gè)PMOS管構(gòu)成的負(fù)反饋電路以及兩個(gè)雙極型晶體管，其特征在于，所述啟動(dòng)電路包括三個(gè)PMOS管、三個(gè)NMOS管以及一個(gè)開關(guān)管，其中，

第一PMOS管和第一NMOS管串聯(lián)在電源和虛地之間，第一PMOS管和第一NMOS管的漏端都連接在運(yùn)算放大器的輸出端，第一PMOS管的柵極接第二控制信號，第一NMOS管的柵極接第二NMOS管的漏極；

第二PMOS管和第二NMOS管串聯(lián)在電源和虛地之間，第二PMOS管和第二NMOS管的柵極通過開關(guān)管連接在運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端；在啟動(dòng)電路啟動(dòng)帶隙基準(zhǔn)源電路瞬間，所述開關(guān)管導(dǎo)通使第二PMOS管和第二NMOS管的柵極存儲電荷轉(zhuǎn)移到所述帶隙基準(zhǔn)源電路的雙極型晶體管上形成電流；在帶隙基準(zhǔn)源電路完全啟動(dòng)并且工作穩(wěn)定后，第二PMOS管和第二NMOS管的柵極電位由帶隙基準(zhǔn)源電路中雙極型晶體管的導(dǎo)通壓降決定；

第三PMOS管的源極接電源，第三PMOS管的漏極接第二PMOS管的柵極，第三PMOS管的柵極接第二控制信號；

第三NMOS管的漏極和源極分別與第二NMOS管的漏極和源極連接，第三NMOS管的柵極接第一控制信號；

所述第一控制信號與所述第二控制信號為電平相反信號；所述第一控制信號和/或所述第二控制信號控制所述開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)閉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，還包括一個(gè)電容元件，所述電容元件連接在所述第二NMOS管的柵極和虛地之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述開關(guān)管為第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏極接第二PMOS管的柵極，源極接所述運(yùn)算放大器的反向輸入端或正向輸入端，柵極接第二控制信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述開關(guān)管為第四PMOS管，所述第四PMOS管的源極接第二PMOS管的柵極，漏極接所述運(yùn)算放大器的反向輸入端或正向輸入端，柵極接第一控制信號。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述開關(guān)管為PNP型晶體管，所述PNP型晶體管的發(fā)射極接在第二NMOS管的柵極，集電極接運(yùn)算放大器的反向輸入端或正向輸入端，基極接第一控制信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述開關(guān)管為NPN型晶體管，所述NPN型晶體管的集電極接在第二NMOS管的柵極，發(fā)射極接運(yùn)算放大器的反向輸入端或正向輸入端，基極接第二控制信號。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述開關(guān)管為傳輸門，所述傳輸門由一個(gè)NMOS管和一個(gè)PMOS管并聯(lián)組成，所述傳輸門的NMOS管的柵極接第二控制信號，傳輸門的PMOS管的柵極接第一控制信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述電容元件為電容，所述電容連接在第二NMOS管的柵極和虛地GND之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述電容元件為MOS管，所述MOS管的柵極接在第二NMOS管的柵極，所述MOS管的源極和漏極接在虛地。