[發明專利]改善肖特基二極管擊穿電壓均一性的方法

無效

• 申請號: 201210145086.8
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN103390554A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 成鑫華;許升高
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種改善肖特基二極管擊穿電壓均一性的方法，包括如下步驟：

步驟一、在硅襯底中進行N型輕摻雜離子注入，形成N阱，構成N型輕摻雜硅襯底；

步驟二、在所述N型輕摻雜硅襯底的上端面形成一金屬前介質層；

步驟三、刻蝕所述金屬前介質層，在所述N型輕摻雜硅襯底的上端面定義出制作鈷硅化合物層的區域；

步驟四、濕法清洗所述N型輕摻雜硅襯底的表面；

其特征在于，還包括：

步驟五、在所述金屬前介質層和所述N型輕摻雜硅襯底的上端面依次淀積金屬鈷層和氮化鈦保護層；

步驟六、去除所述金屬前介質層表面多余的金屬鈷層和氮化鈦保護層，并對所述金屬鈷層和氮化鈦保護層進行兩次快速熱退火處理形成鈷硅化合物層；

步驟七、在所述鈷硅化合物層和N型輕摻雜硅襯底上分別制作金屬連接。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步驟四和步驟五之間還包括等離子體刻蝕步驟，去除所述N型輕摻雜硅襯底表面的氧化層；

所述等離子體刻蝕包括但不限于物理刻蝕、化學刻蝕或二者的混合使用；所述等離子體物理刻蝕的時間為0～8秒；所述等離子體化學刻蝕的時間為0～15秒；所述等離子體刻蝕的功率為100W～2000W。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述等離子體物理刻蝕的氣體包括但不限于Ar、N2、He、H2或O₂，氣體流量為0.5～100sccm。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述等離子體化學刻蝕的氣體包括但不限于H2、CF4、C2F6、CHF3、NF3或C4F6，或H2和He的混合氣體，氣體流量為1～500sccm。