[發明專利]一種電荷補償肖特基半導體裝置及其制造方法無效
| 申請號： | 201210144437.3 | 申請日： | 2012-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN103378131A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 朱江 | 申請（專利權）人： | 朱江 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
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| 地址： | 113200 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電荷 補償 肖特基 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電荷補償肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為半導體材料構成；
漂移層，位于襯底層之上，為第一導電半導體材料；多個
溝槽，位于漂移層第一導電半導體材料表面，溝槽內下部填充第二導電半導體材料，溝槽內上部側壁設置有絕緣材料，溝槽內上部填充介質材料，并且溝槽內上部填充介質材料與溝槽內下部填充第二導電半導體材料相連；
肖特基勢壘結，位于第一導電半導體材料表面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質摻雜的半導體材料。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層可以為高濃度雜質摻雜的半導體材料層和低濃度雜質摻雜的半導體材料層的疊加層。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的漂移層第一導電半導體材料與溝槽內下部填充第二導電半導體材料在器件接反向偏壓時，可以形成電荷補償結構。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內下部填充第二導電半導體材料的長度占據溝槽長度的絕大部分。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內上部填充的介質材料可以為金屬、多晶硅或者絕緣材料。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢壘結為第一導電半導體材料與勢壘金屬形成的結。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的第二導電半導體材料表面可以為歐姆接觸區。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的第二導電半導體材料表面可以為第二類型肖特基勢壘結。
10.如權利要求1所述的一種電荷補償肖特基半導體裝置的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在襯底層表面形成第一導電半導體材料層，然后表面形成一種絕緣介質；
2)進行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質，然后刻蝕去除部分裸露半導體材料形成溝槽；
3)在溝槽內形成第二導電半導體材料，進行反刻蝕；
4)在半導體材料表面形成一種絕緣介質，干法刻蝕絕緣介質；
5)淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結。
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