[發(fā)明專利]一種雙面受光異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210143789.7
• 申請(qǐng)日: 2012-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN103390677A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0747
• 分類號(hào): H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/20
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種可提升普片使用的單晶硅太陽(yáng)能電池效率的新穎技術(shù)方法,?其目的系藉由單晶硅與非晶硅的結(jié)合形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，將原本使用的單晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)化效率從18%提升至20%以上，并可雙面受光，于使用上可吸收更多的太陽(yáng)光，可產(chǎn)生更多的電力，所有工藝不需昂貴的氣體使用和高耗能設(shè)備，即可達(dá)成高效率低成本的大量生產(chǎn)目標(biāo)。?

背景技術(shù)

目前單晶硅太陽(yáng)電池需藉由擴(kuò)散爐等高溫工藝來(lái)制作，會(huì)造成高耗能的產(chǎn)生。此外單晶硅太陽(yáng)電池于使用上對(duì)于環(huán)境溫度的提升會(huì)有很大的衰竭現(xiàn)象（-0.5%/℃），而非晶硅工藝流程的溫度遠(yuǎn)低于單晶硅且對(duì)于溫度的衰竭現(xiàn)象亦不若單晶硅來(lái)的嚴(yán)重(-0.2%/℃)，因此結(jié)合此兩種技術(shù)，而形成了異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜，其光電轉(zhuǎn)換效率可使原先的單晶硅太陽(yáng)電池提升至20%以上，而一般單晶硅太陽(yáng)電池僅能單面收光，此發(fā)明之異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池可雙面受光，將可吸收更多的太陽(yáng)光，以產(chǎn)生更多的電力。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為一種可優(yōu)化提升單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)化效率的新穎發(fā)明，利用非晶硅在單晶硅上面的沈積成膜搭配，形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，而非晶硅與透明導(dǎo)電膜沈積的順序，則為達(dá)成高效率的重要途徑，而本發(fā)明即為提出此沈積順序以形成雙面受光的異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池，可吸收更多的太陽(yáng)光，亦可加強(qiáng)單晶硅片表面的鈍化作用，進(jìn)而達(dá)到高效率的異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜。?

具體實(shí)施方式

茲將本發(fā)明結(jié)構(gòu)說(shuō)明如附圖1，詳細(xì)說(shuō)明如下：請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明之動(dòng)作流程方塊示意圖。流程為先在清洗制絨后的N型單晶硅(1)的背面利用等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備依序沉積I型氫化非晶硅薄膜(2)與N型氫化非晶硅薄膜(4)，接著再利用磁控濺射或是反應(yīng)式物理氣相沈積設(shè)備，于N型氫化非晶硅薄膜(4)上沈積透明導(dǎo)電膜(5)，接下來(lái)將整個(gè)硅片翻面，于等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，將硅片正面依序沈積I型氫化非晶硅薄膜(2)與P型氫化非晶硅薄膜(3)，接著再利用磁控濺射或是反應(yīng)式物理氣相沈積設(shè)備，于P型非晶硅薄膜(3)上沈積透明導(dǎo)電膜(5)，最后利用網(wǎng)版印刷于正背面將銀導(dǎo)線(6)布上，及完成此雙面受光異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池。而本發(fā)明中的氫化非晶硅薄膜則是透過(guò)通入硅烷、氫氣、磷烷、與硼烷于等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備，經(jīng)由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術(shù)來(lái)制備，而透明導(dǎo)電膜則使用ITO或是ZnO。?

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附圖說(shuō)明:??

圖?1?是雙面受光異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)

圖?2?是雙面受光異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池工藝流程圖

圖?1符號(hào)說(shuō)明

1?…N型單晶硅片

2?…I型氫化非晶硅薄膜

3?…P型氫化非晶硅薄膜

4?…N型氫化非晶硅薄膜

5?…透明導(dǎo)電膜

6?…銀電極。