[發明專利]一種雙面受光異質結單晶硅薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210143789.7
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN103390677A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本發明為一種可優化提升單晶硅太陽電池轉化效率的新穎發明，利用非晶硅在單晶硅上面的沈積成膜搭配，形成異質結結構，而非晶硅與透明導電膜沈積的順序，則為達成高效率的重要途徑，而本發明即為提出此沈積順序以形成最佳的單晶硅表面鈍化作用以及減少表面污染的影響，進而達到高效率的異質結單晶硅薄膜，其特徵為為先在清洗制絨后的N型單晶硅的背面利用等離子增強式化學氣相沉積設備依序沉積I型氫化非晶硅薄膜與N型氫化非晶硅薄膜，接下來將整個硅片翻面，于正面依序沈積I型氫化非晶硅薄膜與P型氫化非晶硅薄膜，接著再利用磁控濺射或是反應式物理氣相沈積設備，先在P型非晶硅薄膜上沈積透明導電膜，接著于N型非晶硅薄膜上沈積透明導電膜，最后利用網版印刷于正背面將銀導線布上，則完成此高效率異質結單晶硅薄膜太陽電池。

2.根據權利要求1所述的N型單晶硅，其特徵為CZ或FZ法制作的N型單晶硅?，硅片厚度約100~200微米，晶相為<100>，少數載子壽命為大於100微秒，電阻率為0.5~3.0?Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的氫化I型非晶硅薄膜(I?a-Si:H)、氫化P型非晶硅薄膜?(P?a-Si:H)、與氫化N型非晶硅薄膜(N?a-Si:H)，其特徵為透過通入硅烷、氫氣、磷烷、硼烷于等離子增強式化學氣相沉積設備，經由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術來制備。

4.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特徵為氧化鋅參雜鋁(ZnO:Al)透明導電膜或氧化鋅參雜硼(ZnO:B)透明導電膜或銦錫氧化物(ITO)透明導電膜，于磁控濺射或是反應式物理氣相沈積設備中藉由通入氬氣、氧氣和氫氣產生等離子來制備。

5.根據權利要求1所述的銀導線，其特徵為透過網版印刷設備，將銀導線布于正反面的透明導電膜上，以形成太陽電池的正負極接線。