[發(fā)明專利]晶片封裝體及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210143672.9 | 申請日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN102779809A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉建宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L21/768;B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣中*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 封裝 及其 形成 方法 | ||
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：
一第一基底；
一第二基底，設(shè)置于該第一基底之上，其中該第二基底具有貫穿該第二基底的至少一開口，該至少一開口于該第二基底之中劃分出彼此電性絕緣的多個導(dǎo)電區(qū)；
一第一絕緣層，設(shè)置于該第一基底的一側(cè)邊之上，且填充于該第二基底的該至少一開口之中；
一承載基底，設(shè)置于該第二基底之上；
一第二絕緣層，設(shè)置于該承載基底的一表面及一側(cè)壁之上；以及
一導(dǎo)電層，設(shè)置于該承載基底上的該第二絕緣層之上，且電性接觸所述導(dǎo)電區(qū)中的一導(dǎo)電區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電層自該承載基底的該表面上的該第二絕緣層沿著該承載基底的該側(cè)壁朝該第二基底延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：
一防焊層，設(shè)置于該導(dǎo)電層之上，其中該防焊層具有露出該導(dǎo)電層的一開口；以及
一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該防焊層的該開口之中，且電性接觸該導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該防焊層包覆該導(dǎo)電層的鄰近所述導(dǎo)電區(qū)中的一導(dǎo)電區(qū)的一部分的一側(cè)邊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電層延伸進(jìn)入該第二基底之中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該承載基底的該側(cè)壁傾斜于該承載基底的該表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該承載基底及該第二絕緣層之上，且電性接觸所述導(dǎo)電區(qū)中的一導(dǎo)電區(qū)，其中該第二導(dǎo)電層不電性連接該導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一基底的該側(cè)邊傾斜于該第一基底的面向該第二基底的一表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一絕緣層填充于該第一基底與該第二基底之間的一間隙之中，且覆蓋于該第一基底的一底表面之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一支撐基板，設(shè)置于該第一基底之下，其中該第一絕緣層夾于該第一基底的該底表面與該支撐基板之間。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：
提供一第一基底；
將一第二基底設(shè)置于該第一基底之上，其中該第二基底具有貫穿該第二基底的至少一開口，該至少一開口于該第二基底之中劃分出彼此電性絕緣的多個導(dǎo)電區(qū)；
將一承載基底設(shè)置于該第二基底之上；
自該第一基底的一底表面部分移除該第一基底以形成至少一第一溝槽開口，該至少一第一溝槽開口露出該第二基底的該至少一開口及所述導(dǎo)電區(qū)；
于該至少一第一溝槽開口的一側(cè)壁上形成一第一絕緣層，其中該第一絕緣層填充于該第二基底的該至少一開口之中；
自該承載基底的一上表面部分移除該承載基底以形成朝該第二基底延伸的至少一溝槽；
于該承載基底的一表面及該至少一溝槽的一側(cè)壁上形成一第二絕緣層；以及
于該第二絕緣層之上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性接觸所述導(dǎo)電區(qū)中的一導(dǎo)電區(qū)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在形成至少一第一溝槽開口之前，薄化該第一基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在形成該至少一溝槽之前，薄化該承載基底。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：
于該導(dǎo)電層之上形成一防焊層，該防焊層具有露出該導(dǎo)電層的一開口；以及
于該防焊層的該開口中形成一導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊電性接觸該導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括切割移除部分的該第二絕緣層以于該第二絕緣層中形成一第二溝槽開口，該第二溝槽開口露出該第二基底的該至少一開口及所述導(dǎo)電區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該第二溝槽開口延伸進(jìn)入該第二基底之中。
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